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$5000MBT3904DW1T1G
Small signal bipolar transistor with a current rating of 0.2A and a breakdown voltage of 40V
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: MBT3904DW1T1G
Datenblatt: MBT3904DW1T1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SC-88-6
Produktart: Bipolar Transistor Arrays
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.364 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MBT3904DW1T1G Allgemeine Beschreibung
The MBT3904DW1T1G is a versatile NPN bipolar junction transistor (BJT) designed by ON Semiconductor to meet the needs of general-purpose electronic circuits. With a maximum collector current (IC) of 200mA, a maximum collector-emitter voltage (VCEO) of 40V, and a maximum power dissipation (Pd) of 625mW, this transistor provides reliable performance for a wide range of applications. Its typical DC current gain (hFE) of 100 to 300 at a collector current of 10mA and a collector-emitter voltage of 1V ensures efficient amplification and signal processing
Funktionen
- The MBT3904DW1T1G is an ideal component for use in audio amplifiers, motor drivers, and other applications where high current handling is required
- It features a high temperature range making it suitable for industrial and automotive applications
Anwendung
- Versatile and widely used
- Perfect for circuit designs
- Popular among hobbyists
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 | Case Outline | 419B-02 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 3000 |
| ON Target | N | Polarity | Dual NPN |
| Type | General Purpose | VCE(sat) Max (V) | 0.3 |
| IC Cont. (A) | 0.2 | VCEO Min (V) | 40 |
| VCBO (V) | 60 | VEBO (V) | 6 |
| VBE(sat) (V) | 0.65 | hFE Min | 100 |
| hFE Max | 300 | fT Min (MHz) | 300 |
| PTM Max (W) | 0.15 |
Versand
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|---|---|---|---|
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