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$5000MGSF1N02LT1G
Low-power control for small signals and sensor
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Marken: Onsemi
Herstellerteil #: MGSF1N02LT1G
Datenblatt: MGSF1N02LT1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT23-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.228 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MGSF1N02LT1G Allgemeine Beschreibung
With its compact size and impressive performance capabilities, the MGSF1N02LT1G is a versatile component that can enhance the efficiency of power management systems in a range of devices. Its low power loss ensures that energy is conserved, making it an excellent choice for battery-powered products like PCMCIA cards and cordless telephones. Whether used in a commercial or consumer electronics setting, this MOSFET delivers reliable performance and helps to optimize power usage
Funktionen
- Compact Design for Space Efficiency
- High Surge Current Capability
- Low Thermal Resistance for Cooling
Anwendung
- Smart Wearable Technology
- Miniature Power Supplies
- Power Optimization Solutions
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Status | Active | Compliance | PbAHP |
Package Type | SOT-23-3 | Case Outline | 318-08 |
MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
Container Type | REEL | Container Qty. | 3000 |
ON Target | N | Channel Polarity | N-Channel |
Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 20 |
VGS Max (V) | 20 | VGS(th) Max (V) | 2.4 |
ID Max (A) | 0.35 | PD Max (W) | 0.4 |
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | 130 | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 90 |
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 3.2 | Ciss Typ (pF) | 125 |
Pricing ($/Unit) | $0.1188Sample |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The MGSF1N02LT1G is a power MOSFET transistor designed for switching applications in low voltage circuits. It has a maximum drain-source voltage of 20V, low on-resistance, and a high continuous drain current rating. This chip is ideal for use in portable electronic devices and power management systems.
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Equivalent
Some equivalent products of the MGSF1N02LT1G chip are the MGSF1N02LT1, MGSF1N02CLT1G, and MGSF1N02CLT1. These chips are all N-channel enhancement mode power field-effect transistors designed for use in power management applications. -
Features
MGSF1N02LT1G is a N-Channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 1A and a low threshold voltage of 920mV. It has a small SOT-563 surface mount package, making it suitable for space-constrained applications. Its low on-resistance and fast switching speed make it ideal for power management in portable devices. -
Pinout
MGSF1N02LT1G is a Surface Mount Small-Signal MOSFET with a pin count of 3. The function of this device is to provide switching and amplification capabilities in electronic circuits, typically in low-power applications. -
Manufacturer
MGSF1N02LT1G is manufactured by ON Semiconductor, a leading global supplier of energy-efficient semiconductor solutions. ON Semiconductor focuses on power and signal management, discrete, logic, and custom devices for automotive, communications, consumer, industrial, and medical applications. -
Application Field
MGSF1N02LT1G is a low threshold N-channel enhancement mode MOSFET ideal for applications in power management, DC-DC converters, battery management, and load switching. It can also be used in portable devices, laptops, tablets, and LED lighting systems due to its low on-resistance and high current handling capabilities. -
Package
The MGSF1N02LT1G chip is a surface mount SOT-23 package with a form of 3 pins. The size of the chip is 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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