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$5000MGSF1N03LT1
Specifications: This MOSFET, coded MGSF1N03LT1, is a single-channel device designed for small signal power applications
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: onsemi
Herstellerteil #: MGSF1N03LT1
Datenblatt: MGSF1N03LT1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.663 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MGSF1N03LT1 Allgemeine Beschreibung
The MGSF1N03LT1 is a cutting-edge N-channel trench MOSFET transistor crafted by ON Semiconductor, specifically engineered for the demands of low voltage, high-speed switching in the realm of portable electronics, power management systems, and a variety of consumer electronics. With a 20V drain-source voltage and a continuous drain current of 0.7A, this transistor caters to low-power applications with precision. It boasts a remarkably low threshold voltage of 1.5V, facilitating swift and effective transistor switching in diverse scenarios
Funktionen
- Fast switching, high performance
- Low power consumption, eco-friendly
- High voltage, high reliability
- Optimized for rapid charging
- Ultra-low noise, ultra-high efficiency
- Advanced signal processing, real-time monitoring
Anwendung
- Renewable Energy
- Power Supplies
- Electric Vehicles
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Package | Cut Tape (CT) | Product Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.2A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 5 V | Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) | Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Base Product Number | MGSF1 |
Versand
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