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MJ14002
Compact TO-204AE package makes it perfect for small-space electronics design
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: MJ14002
Datenblatt: MJ14002 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-204-2
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.505 Stück, Neues Original
Produktart: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $2,701 | $2,701 |
200 | $1,078 | $215,600 |
500 | $1,042 | $521,000 |
1000 | $1,025 | $1025,000 |
Auf Lager: 8.505 Stck
MJ14002 Allgemeine Beschreibung
MJ14002 is a bi-polar junction transistor (BJT) designed for high-speed switching applications. It is a NPN silicon transistor with a maximum collector current rating of 2A and a maximum collector-base voltage rating of 40V. The device has a low saturation voltage of 0.3V at a collector current of 500mA, making it suitable for various power switching applications. It has a high current gain (hFE) of 100 to 250 at a collector current of 500mA, providing high amplification capability.MJ14002 has a maximum power dissipation of 625mW with a thermal resistance of 125°C/W junction to case. This allows it to handle moderate power levels efficiently and ensures reliable operation under high-temperature conditions.The transistor is housed in a TO-3 package, which provides excellent thermal conductivity and mechanical strength. It is suitable for use in various industrial and consumer electronic devices such as power supplies, lighting controls, and motor controls.
Funktionen
- Compact and Reliable Design
- Fast Switching Performance
- Low Power Consumption
- High Efficiency Operation
- Precise Current Control
- Long-Term Reliability Guaranteed
Anwendung
- High power handling
- Reliable performance
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Transistor Polarity | NPN |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 80 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Maximum DC Collector Current | 60 A | Pd - Power Dissipation | 300 W |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 200 C |
Brand | Diodes Incorporated | DC Collector/Base Gain hfe Min | 30 at 25 A, 3 V |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Subcategory | Transistors |
Technology | Si |
Versand
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