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MJD112T4G
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK
Marken: onsemi
Herstellerteil #: MJD112T4G
Datenblatt: MJD112T4G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: DPAK
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,468 | $0,468 |
| 10 | $0,381 | $3,810 |
| 30 | $0,344 | $10,320 |
| 100 | $0,297 | $29,700 |
| 500 | $0,276 | $138,000 |
| 1000 | $0,265 | $265,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
MJD112T4G Allgemeine Beschreibung
The MJD112T4G Darlington Bipolar Power Transistor is a versatile component that is essential for applications requiring high power and switching capabilities. Ideal for use in output or driver stages in a variety of electronic devices, this transistor offers reliable performance in switching regulators, converters, and power amplifiers. With its NPN design, the MJD112T4G complements the MJD117 (PNP) device, providing a complete and efficient solution for your circuit design needs
Funktionen
- Advanced Packaging for Increased Density
- High-Speed SERDES Transceiver Built-In
- Robust Error Correction Mechanisms Included
- Suitable for 5G and IoT Applications
- Fully Compatible with PCIe 3.0 Standard
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | Darlington Transistors |
| RoHS: | Details | Configuration: | Single |
| Transistor Polarity: | NPN | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V | Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A | Maximum Collector Cut-off Current: | 20 uA |
| Pd - Power Dissipation: | 20 W | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 (DPAK) | Minimum Operating Temperature: | - 65 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | MJD112 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | onsemi |
| Continuous Collector Current: | 2 A | DC Collector/Base Gain hfe Min: | 200, 500, 1000 |
| Height: | 2.38 mm | Length: | 6.73 mm |
| Product Type: | Darlington Transistors | Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Subcategory: | Transistors | Width: | 6.22 mm |
| Unit Weight: | 0.016579 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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Teilpunkte
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The MJD112T4G is a power transistor chip. It belongs to the NPN high voltage Power Transistor family and is designed for high speed switching applications. It has a maximum collector current of 2 A and a high collector-emitter voltage of 100 V. The chip is commonly used in various electronic devices and circuits where high voltage switching is required.
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Equivalent
There are no direct equivalent products for the MJD112T4G chip. However, alternative options could include similar power transistors such as the MJD50T4G or the MJD122T4G. It is recommended to compare specifications and consult with the manufacturer for the best alternative match. -
Features
MJD112T4G is a NPN Darlington transistor. It has a maximum collector current of 2A, a maximum collector-emitter voltage of 100V, and a maximum power dissipation of 2W. It offers low saturation voltage, high DC current gain, and is designed for general purpose switching and amplifier applications. -
Pinout
The MJD112T4G is a transistor with a pin count of 4. It is a NPN bipolar power transistor commonly used for switching and amplification purposes in electronic circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of the MJD112T4G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global supplier of semiconductor-based solutions, including a wide range of power and signal management, logic, discrete, and custom devices. They serve various industries such as automotive, consumer electronics, industrial, medical, and aerospace/defense. -
Application Field
The MJD112T4G is a high voltage NPN bipolar power transistor primarily used in applications such as automotive ignition systems, solenoid drivers, and switching power supplies. It is designed to handle high voltage and high current levels, making it suitable for various applications that require efficient switching capabilities. -
Package
The MJD112T4G chip is in a DPAK package type, which is a surface-mount power transistor package. The form is a rectangular plastic case with three leads. The size of the chip is approximately 6.6mm x 9.9mm x 2.57mm.
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