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ON MJD45H11-1G
Bipolar Power DPAK PNP 8A 80V; Package: DPAK-3 SINGLE GAUGE; No of Pins: 4; Container: Rail; Qty per Container: 75
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: MJD45H11-1G
Datenblatt: MJD45H11-1G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-251
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2500 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,920 | $0,920 |
| 10 | $0,757 | $7,570 |
| 30 | $0,676 | $20,280 |
| 75 | $0,596 | $44,700 |
| 525 | $0,546 | $286,650 |
| 975 | $0,514 | $501,150 |
In Stock:2500 PCS
MJD45H11-1G Allgemeine Beschreibung
The Power Bipolar Junction Transistor is designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
Funktionen
- Complementary Pairs Simplifies Designs
- Ideal for output stage of audio amplifier
- Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves (No Suffix)
- Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix)
- Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount ("T4" Suffix)
- Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series
- Low Collector Emitter Saturation>
- Fast Switching Speeds
- NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
- These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
Anwendung
ONSEMISpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | ON Semiconductor | Product Category: | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS: | Y | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 | Transistor Polarity: | PNP |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 5 V | Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V | Maximum DC Collector Current: | 8 A |
| Gain Bandwidth Product fT: | 90 MHz | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | MJD45H11 |
| Height: | 6.35 mm | Length: | 6.73 mm |
| Packaging: | Tube | Width: | 2.38 mm |
| Brand: | ON Semiconductor | Continuous Collector Current: | 8 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 60 | Pd - Power Dissipation: | 20 W |
| Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity: | 75 |
| Subcategory: | Transistors | Unit Weight: | 0.012346 oz |
| Tags | MJD45H11-1, MJD45H, MJD45, MJD4, MJD |
Versand
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|---|---|---|---|
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The MJD45H11-1G chip is a high-power, high-speed NPN transistor designed for a variety of applications in industrial and consumer electronics. It offers a high collector current capability, low saturation voltage, and fast switching times. This chip can be used in motor control, power management, and general-purpose amplification circuits. Overall, it provides efficient and reliable performance in high-demanding environments.
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Equivalent
There aren't any exact equivalent products to the MJD45H11-1G chip. However, similar alternatives may include the MJD45H11G, MJD45H11T4G, or MJD45H11T2G. -
Features
The MJD45H11-1G is a high voltage NPN power transistor with a 45A collector current capability. It has a fast switching speed and low saturation voltage, making it suitable for applications in power supplies, motor control, and other high current switching circuits. Additionally, it has a built-in flyback diode for protection against voltage spikes. -
Pinout
The MJD45H11-1G is a MOSFET transistor with 3 pins. The pin configuration and function are as follows: 1. Pin 1 (Emitter) - Controls the emitter current. 2. Pin 2 (Base) - Controls the current flow through the base-emitter junction. 3. Pin 3 (Collector) - Controls the collector current. -
Manufacturer
The MJD45H11-1G is manufactured by STMicroelectronics. STMicroelectronics is a multinational semiconductor and electronics company. They design, develop, and supply a wide range of products, including microcontrollers, sensors, power management solutions, and integrated circuits for various industries such as automotive, industrial, computer and consumer electronics. -
Application Field
The MJD45H11-1G is a NPN Darlington transistor designed for switching applications in the automotive industry, particularly for controlling motors, solenoids, and relays. It can also be used in industrial automation, robotics, and other applications that require high current and voltage switching capabilities. -
Package
The MJD45H11-1G chip is in a TO-252 package type, also known as a DPAK or SMT package. It has a single form, which is a standard surface-mounted device. The size of the chip is typically around 6.60mm x 6.10mm x 1.75mm.
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