Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

Bestellungen über

$5000
erhalten $50 einen Rabatt !

ON MJE5852

Power Bipolar Transistor, PNP, Silicon, TO-220AB

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Onsemi

Herstellerteil #: MJE5852

Datenblatt: MJE5852 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-220-3

Produktart: Single Bipolar Transistors

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2.348 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Schnelle Anfrage

Bitte senden Sie eine Anfrage für MJE5852 oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

MJE5852 Allgemeine Beschreibung

The MJE5852 transistor is a top-tier component engineered for power switching applications in inductive circuits where swift fall times are imperative. With a superior design tailored for high voltage and high-speed operations, this transistor promises unparalleled performance and reliability in demanding environments. Whether you are working on a complex industrial project or a cutting-edge technological application, the MJE5852 is your go-to solution for efficient and precise power management

mje5852

Funktionen

  • High-Quality Components for Reliable Performance
  • Easy to Install and Upgrade
  • Advanced Safety Features for Secure Operations

Anwendung

  • Soft Starters
  • Active Filters
  • Charge Pumps

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category Bipolar Transistors - BJT RoHS Details
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-220-3
Transistor Polarity PNP Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 400 V Collector- Base Voltage VCBO 450 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V Maximum DC Collector Current 8 A
Pd - Power Dissipation 80 W Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Series MJE5852
Brand STMicroelectronics Continuous Collector Current - 8 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 15 Height 9.15 mm
Length 10.4 mm Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 50 Subcategory Transistors
Technology Si Width 4.6 mm
Unit Weight 0.211644 oz

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The MJE5852 is a high voltage PNP transistor commonly used in power supply and amplifier circuits. It has a maximum collector current of 8A and a maximum power dissipation of 50W. The transistor is housed in a TO-220 package and is suitable for general-purpose switching applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the MJE5852 chip include the NTE2357, 2N5210, TIP141, and TIP146. These are all power transistors with similar ratings and characteristics, suitable for similar applications in power control and amplification circuits.
  • Features

    - PNP silicon power transistor - High current capability (8A) - Low collector-emitter saturation voltage - High DC current gain (hFE = 40-320) - High power dissipation (75W) - Suitable for audio amplification, power regulators, motor control circuits, and high-speed switching applications.
  • Pinout

    The MJE5852 is a transistor with a TO-220 package. It has three pins: Emitter (E), Base (B), and Collector (C). The pin functions are as follows: Emitter (pin 1) is connected to ground, Base (pin 2) is the input control signal, and Collector (pin 3) is the output signal.
  • Manufacturer

    The MJE5852 is manufactured by ON Semiconductor, a company that specializes in designing and producing a wide range of semiconductor devices and components for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. ON Semiconductor is a global leader in the semiconductor industry, known for its high-quality products and innovative solutions.
  • Application Field

    The MJE5852 is commonly used in high voltage switching applications, such as in power supplies, inverters, motor control circuits, and audio amplifiers. It is also utilized in general purpose amplification and signal processing circuits where high voltage handling capability is required.
  • Package

    The MJE5852 chip is a power transistor with a TO-220AB package type, through-hole form, and measures approximately 10.4mm in length, 15.1mm in height, and 4.51mm in width.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation MJE5852 PDF Herunterladen

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • FDD4141-F085

    FDD4141-F085

    ON

    Advanced PowerTrench technology for improved perfo...

  • NVTFS5820NLTAG

    NVTFS5820NLTAG

    ON

    NVTFS5820NLTAG is a MOSFET featuring a single N-ch...

  • NVF3055L108T1G

    NVF3055L108T1G

    ON

    223 MOSFET with N Channel transistor polarity, 60V...

  • FQD2N100TM

    FQD2N100TM

    ON

    Transistor MOSFET, N-channel type, designed for op...

  • FDD3682

    FDD3682

    ON

    FDD3682 is a TO-252AA packaged MOSFET capable of h...

  • FDG6332C_F085

    FDG6332C_F085

    onsemi

    Advanced Power Electronic Device Technology