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ON NTJD4105CT1G 48HRS

Low-voltage, low-power switching solution for sensitive circuits

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: ON

Herstellerteil #: NTJD4105CT1G

Datenblatt: NTJD4105CT1G Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT363

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2.895 Stück, Neues Original

Produktart: FET, MOSFET Arrays

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
5 $0,107 $0,535
50 $0,095 $4,750
150 $0,089 $13,350
500 $0,084 $42,000
3000 $0,072 $216,000
6000 $0,070 $420,000

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NTJD4105CT1G Allgemeine Beschreibung

In summary, the NTJD4105CT1G is a high-performance small signal MOSFET that combines efficiency, reliability, and versatility in a compact package. Its complementary N-channel and P-channel elements, along with its low on-resistance and high current handling capabilities, make it a go-to choice for demanding circuit designs. Whether used in consumer electronics, automotive systems, or industrial applications, this MOSFET excels in delivering the performance and precision required in today's technology-driven world

NTJD4105CT1G

Funktionen

  • Improved Signal Integrity
  • Enhanced Power Management
  • Compact QFN Package
  • Advanced Thermal Monitoring
NTJD4105CT1G

Anwendung

  • Smart Power Control
  • Temperature Regulation

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Status Active Compliance PbAHP
Package Type SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 Case Outline 419B-02
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 3000
ON Target Y Channel Polarity Complementary
Configuration Dual V(BR)DSS Min (V) 0
VGS Max (V) 12 VGS(th) Max (V) 1.5
ID Max (A) 0.63 PD Max (W) 0.27
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) N:445.0 , P:460.0 RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) N: 375.0, P: 300
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) 0.9 Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 1.3
Ciss Typ (pF) N(20V):33, P(-8V): 160

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
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Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
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2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The NTJD4105CT1G is a N-channel 40V MOSFET transistor designed for use in high-speed switching applications in power management circuits. It has a low on-state resistance and high switching frequency capabilities, making it ideal for use in power supplies, LED lighting, and motor control applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products to the NTJD4105CT1G chip are: BSS138, DMG2306L-7, PMDN311BS, DMG1012T, and 2N7002. These chips are all general-purpose N-channel MOSFET transistors with similar electrical characteristics and specifications.
  • Features

    The NTJD4105CT1G is a N-channel MOSFET transistor with a maximum continuous drain current of 1 A, low RDS(on) of 300 mΩ, and a compact SOT-723 package. It is suitable for low voltage applications such as power management in portable devices and battery-powered systems.
  • Pinout

    The NTJD4105CT1G is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. Pin 1 and Pin 6 are the source pins for each MOSFET, while Pin 2 is the gate pin for the first MOSFET and Pin 5 is the gate pin for the second MOSFET. Pin 3 and Pin 4 are the drain pins for each respective MOSFET.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the NTJD4105CT1G is ON Semiconductor. It is a leading supplier of semiconductor-based solutions, offering a comprehensive portfolio of energy efficient power and signal management, logic, discrete, and custom devices for automotive, communications, computing, consumer, industrial, medical, and military/aerospace applications.
  • Application Field

    The NTJD4105CT1G is commonly used in applications such as load switching in portable devices, power management in consumer electronics, and voltage regulation in industrial equipment. It is also suitable for automotive systems, LED lighting, and telecommunications infrastructure due to its low threshold voltage, high current capability, and low on-resistance.
  • Package

    The NTJD4105CT1G chip comes in a SOT-23-3 package, with a form of Surface Mount and a size of 2.9 mm x 1.3 mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

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    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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