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ON NTZD3155CT2G
Unipolar N/P-MOSFET transistor: Exhibiting complementary pair behavior, designed for operation within a voltage spectrum of 20 volts to -20 volts
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: NTZD3155CT2G
Datenblatt: NTZD3155CT2G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-563
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3273 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,369 | $0,369 |
| 10 | $0,249 | $2,490 |
| 30 | $0,188 | $5,640 |
| 100 | $0,130 | $13,000 |
| 500 | $0,093 | $46,500 |
| 1000 | $0,074 | $74,000 |
In Stock:3273 PCS
NTZD3155CT2G Allgemeine Beschreibung
Mosfet Array 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
Funktionen
- Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance
- High Efficiency System Performance
- Low Threshold Voltage
- ESD Protected Gate
- Small Footprint 1.6 x 1.6 mm
- RoHS Compliant
Anwendung
- DC-DC Conversion Circuits
- Load/Power Switching with Level Shift
- Single or Dual Cell Li-Ion Battery Operated Systems
- High Speed Circuits
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SOT-563 | Case Outline | 463A-01 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 4000 |
| ON Target | N | Channel Polarity | Complementary |
| Configuration | Dual | V(BR)DSS Min (V) | ±20 |
| VGS Max (V) | 6 | VGS(th) Max (V) | 1 |
| ID Max (A) | 0.54 | PD Max (W) | 0.25 |
| RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | N: 500.00, P: 600.00 | RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | N:400.00, P: 500.00 |
| Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | 0.7 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 1.5 |
| Ciss Typ (pF) | N: 80, P: 105 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The NTZD3155CT2G chip is a dual N-channel enhancement mode MOSFET transistor manufactured by ON Semiconductor. It is designed for power management and load switching applications in portable devices, USB hubs, and battery chargers. With a low on-resistance and compact surface mount package, it provides efficient switching performance and helps in reducing power losses and improving overall system reliability.
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Equivalent
There aren't any specific equivalent products for the NTZD3155CT2G chip. However, one could look for alternative N-channel enhancement mode MOSFETs with similar specifications and characteristics as the NTZD3155CT2G chip to suit their specific needs. -
Features
NTZD3155CT2G is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) designed for low voltage applications. It has a voltage rating of 20V and a continuous drain current of 3A. The transistor features low on-resistance, high speed switching capabilities, and is suitable for use in battery charger, power management, and load switching applications. -
Pinout
The NTZD3155CT2G is a dual N-channel MOSFET transistor with a SOT-23 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTZD3155CT2G is ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor company that designs, manufactures, and sells a range of semiconductor components and devices for various applications, including power management, analog, and sensor products. -
Application Field
The NTZD3155CT2G is a dual N-channel MOSFET transistor commonly used in switch-mode power supplies, battery chargers, and other power management applications. It is suitable for low voltage and high-frequency operation, making it ideal for portable and compact devices. -
Package
The NTZD3155CT2G chip is available in a DFN (Dual Flat No-Lead) package, with a form of 3.3mm x 3.3mm and a size of 10mm².
Datenblatt PDF
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