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ON NTD25P03LT4G
MOSFET -30V -25A P-Channel
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Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: NTD25P03LT4G
Datenblatt: NTD25P03LT4G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-252
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.896 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $1,007 | $1,007 |
10 | $0,834 | $8,340 |
30 | $0,740 | $22,200 |
100 | $0,633 | $63,300 |
500 | $0,586 | $293,000 |
1000 | $0,564 | $564,000 |
Auf Lager: 2.896 Stck
NTD25P03LT4G Allgemeine Beschreibung
The NTD25P03LT4G MOSFET combines advanced technology with a rugged design to provide exceptional performance in demanding environments. With its high current capacity, low on-resistance, and wide temperature range, this transistor is well-suited for a range of industrial and automotive applications. Whether you need to control motors, regulate power, or switch high currents, the NTD25P03LT4G delivers the reliability and efficiency you need. Experience the difference with this high-quality MOSFET from a trusted supplier
![ntd25p03lt4g ntd25p03lt4g](/files/uploads/product/b/ntd25p03lt4g20160817154434_1085.jpg)
Funktionen
- FCC Compliant
- UL Recognized
- Mil-Std-202G Compliant
Anwendung
- Variable Speed Drives
- SMPS Units
- Current Sensors
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Source Content uid | NTD25P03LT4G | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
Part Package Code | DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252 | Package Description | DPAK-3 |
Pin Count | 3 | Manufacturer Package Code | 369C |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time | 50 Weeks |
Samacsys Manufacturer | onsemi | Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 200 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
Drain Current-Max (ID) | 25 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.08 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 75 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 75 A | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON | Package Category | TO-XXX (Inc. DPAK) |
Released Date | Jan 25, 2016 |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NTD25P03LT4G is a power MOSFET chip used for switching applications in power management circuits. It has a high voltage rating of 30V and a continuous drain current of 25A. The chip offers low on-resistance, high switching speed, and low gate charge, making it suitable for various applications such as power supplies, motor control, and LED lighting.
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Equivalent
Some equivalent products to the NTD25P03LT4G chip include YTD25P03LT4G, P3N25P03LT, and IPP03N03LA G. -
Features
The features of NTD25P03LT4G include a maximum drain current of 25A, a drain-source voltage of -30V, and an on-resistance of 41.5mΩ. It also has low gate-source threshold voltage, a compact TO-252 package, and is suitable for use in various power management applications. -
Pinout
The NTD25P03LT4G is a Power MOSFET with a pin count of 3. The functions of its pins are as follows: 1. Source (S): It is the terminal connected to the ground and serves as the reference point for the MOSFET. 2. Drain (D): It is the output terminal and conducts the current flow when the MOSFET is turned on. 3. Gate (G): It controls the MOSFET's conductivity and determines whether it is turned on or off. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTD25P03LT4G is ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor company specializing in power management and precision analog devices. ON Semiconductor produces a wide range of products for various applications, including automotive, industrial, communication, and consumer electronics industries. -
Application Field
The NTD25P03LT4G is a power MOSFET transistor that is commonly used in various electronic applications. Its application areas include power management systems, battery charging circuits, motor control and driver circuits, switch mode power supplies, and other high voltage and high current applications. -
Package
The NTD25P03LT4G chip has a TO-252AA package type, with a surface mount form. Its size is typically 6.21mm x 6.21mm.
Datenblatt PDF
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