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ON NTHD4102PT1G
High Current Handling - With a maximum current rating of 4.1A, it efficiently handles moderate to high power loads
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: NTHD4102PT1G
Datenblatt: NTHD4102PT1G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: ChipFET-8
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3311 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMNTHD4102PT1G Allgemeine Beschreibung
P Channel Mosfet, -20V, 1206A, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:20V; Drain Source Voltage Vds P Channel:20V; Continuous Drain Current Id N Channel:2.9A; Continuous Drain Current Id P Channel:2.9A Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTHD4102PT1G
Funktionen
- Offers an Ultra Low RDS(ON) Solution in the ChipFET™ Package
- Miniature ChipFet Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6
- Low Profile (<1.1mm) Allows it to Fit Easily into Extremely Thin Environments such as Portable Electronics
- Simplifies Circuit Designs since Additional Boost Circuits for Gate Voltages are not Required
- Operated at Standard Logic Level Gate Drive, Facilitating Future Migration to Lower Levels using the same Basic Topology
Anwendung
- Optimized for Battery and Load Management Applications in Portable Equipment
- Charge Control in Battery Chargers
- Buck and Boost Converters
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | ChipFET-8 | Case Outline | 1206A-03 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 3000 |
| ON Target | Y | Channel Polarity | P-Channel |
| Configuration | Dual | V(BR)DSS Min (V) | -20 |
| VGS Max (V) | 8 | VGS(th) Max (V) | 1.5 |
| ID Max (A) | 2.9 | PD Max (W) | 1.1 |
| RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | Q1=Q2=84 | RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | Q1=Q2=64 |
| Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | 2.6 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 7.6 |
| Ciss Typ (pF) | 750 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
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![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
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![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NTHD4102PT1G chip is a high-speed power MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It provides efficient switching and low on-resistance to minimize power losses. This chip is commonly used in electronic devices and power management systems to regulate and control power flow.
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Equivalent
Some equivalent products of the NTHD4102PT1G chip include the DMN10H170SEH, RFD16N06L, and NTB52N10L. These chips are all power MOSFETs designed for various applications and have similar features such as high voltage and current ratings. -
Features
NTHD4102PT1G is an N-channel power MOSFET with a low on-resistance, suitable for efficient switching applications. It has a voltage rating of 30 V and a continuous drain current of 5.2 A. The device is housed in a small SOT-223 package, offering low thermal resistance and space-saving design for compact applications. -
Pinout
The NTHD4102PT1G is a 6-pin, dual N-channel enhancement-mode MOSFET. Its functions include providing high switching speeds, low on-resistance, high current handling capability, and low gate threshold voltage. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTHD4102PT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductor and electronics company. They design, manufacture, and distribute a wide range of semiconductor components, including integrated circuits, diodes, transistors, and sensors. -
Application Field
The NTHD4102PT1G is a high-speed switching transistor primarily used in power management applications, such as DC-DC converters, LED backlighting, and motor control. It is commonly used in portable devices, automotive electronics, and industrial equipment where high efficiency and reliability are essential. -
Package
The NTHD4102PT1G chip is available in a surface mount SOT-23 package. It has a small form factor, with dimensions of approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.
Datenblatt PDF
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