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ON MMBT5401LT1G 48HRS

PNP Transistor with 0.5A Current Rating and SOT-23 Package

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Onsemi

Herstellerteil #: MMBT5401LT1G

Datenblatt: MMBT5401LT1G Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-23-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9458 Stück, Neues Original

Produktart: Bipolar Transistors - BJT

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
10 $0,040 $0,400
100 $0,033 $3,300
300 $0,029 $8,700
3000 $0,026 $78,000
6000 $0,025 $150,000
9000 $0,024 $216,000

In Stock:9458 PCS

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MMBT5401LT1G Allgemeine Beschreibung

The MMBT5401LT1G is a bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. It belongs to the PNP transistor family, making it suitable for various switching and amplification applications. The "MM" in the part number indicates that it is designed for general-purpose use.This transistor is housed in a SOT-23 surface mount package, making it compact and suitable for use in small electronic devices and circuit boards. The "LT" in the part number indicates that it is a lead-free version, complying with environmental regulations such as the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) directive.The MMBT5401LT1G has a maximum collector-base voltage (V_CBO) of -160 volts and a maximum collector-emitter voltage (V_CEO) of -160 volts, with a maximum emitter-base voltage (V_EBO) of -5 volts. It can handle a continuous collector current (I_C) of -600 milliamps.This transistor has a low saturation voltage and fast switching speed, making it suitable for use in applications such as amplifiers, switching circuits, voltage regulators, and motor control.

Funktionen

  • The MMBT5401LT1G is a PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used in switching and amplification applications
  • It has a maximum collector current of 600mA, a maximum collector-emitter voltage of 160V, and a power dissipation of 225mW
  • The transistor is housed in a SOT-23 package, making it suitable for compact electronic designs
  • Anwendung

  • The MMBT5401LT1G is a general-purpose PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications
  • It is suitable for low-power and small-signal amplification tasks in various electronic circuits, including audio amplifiers, signal amplifiers, and voltage amplifiers
  • Its compact size and versatile characteristics make it suitable for a wide range of electronic projects and devices
  • Spezifikationen

    Parameter Wert Parameter Wert
    Status Active Compliance PbAHP
    Package Type SOT-23-3 Case Outline 318-08
    MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
    Container Type REEL Container Qty. 3000
    ON Target N Polarity PNP
    Type General Purpose VCE(sat) Max (V) 0.5
    IC Cont. (A) 0.5 VCEO Min (V) 150
    VCBO (V) 160 VEBO (V) 5
    VBE(sat) (V) 1 hFE Min 60
    hFE Max 240 fT Min (MHz) 100
    PTM Max (W) 0.225

    Versand

    Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
    DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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    Verpackung

    • Produkt

      Schritt1 :Produkt

    • Vakuumverpackung

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    • Antistatikbeutel

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    • Individuelle Verpackung

      Schritt4 :Individuelle Verpackung

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      Schritt5 :Verpackungskartons

    • Barcode-Versandetikett

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    Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

    • ESD
    • ESD

    Teilpunkte

    • The MMBT5401LT1G chip is a low voltage, PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for various applications, including switching and amplification in electronic circuits. It has a maximum current rating of 600 mA and a power dissipation of 350 mW. With a compact SOT-23 package, it is commonly used in portable electronic devices, battery-powered applications, and other low voltage circuits.
    • Equivalent

      Some equivalent products of the MMBT5401LT1G chip include: 2N5401, BC327, and KSP5401.
    • Features

      The MMBT5401LT1G is a high voltage PNP transistor with a Collector-Emitter voltage (VCEO) of -150 V. It has a Collector current (IC) rating of -600 mA and a power dissipation (PD) of 225 mW. It comes in a small SOT-23 package, making it suitable for space-constrained applications.
    • Pinout

      The MMBT5401LT1G is a SOT-23 package with 3 pins. Pin 1 is the emitter, pin 2 is the base, and pin 3 is the collector. It is a general-purpose PNP bipolar junction transistor used for amplification and switching applications.
    • Manufacturer

      The manufacturer of the MMBT5401LT1G is ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor company that designs, manufactures, and sells a wide range of electronic components for various industries including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
    • Application Field

      The MMBT5401LT1G is a general-purpose PNP transistor, commonly used in applications such as signal amplification, switching, and audio amplification. It can be found in various electronic devices, including audio equipment, power supplies, and sensor circuits.
    • Package

      The MMBT5401LT1G chip is available in a SOT-23 package type. It has three terminals in the SMD form and measures approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm in size.

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