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ON 2N5686G

N5686G, Transistor GP BJT NPN 80V 50A 2-Pin TO-3 Tray":

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: ON Semiconductor, LLC

Herstellerteil #: 2N5686G

Datenblatt: 2N5686G Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-204-2

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2685 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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2N5686G Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 50 A 2MHz 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)

2n5686g

Funktionen

  • High Current Capability - IC Continuous = 50 Amperes.
  • DC Current Gain - hFE = 15-60 @ IC = 25 Adc
  • Low Collector?Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 25 Adc
  • Pb-Free Packages are Available
2n5686g

Anwendung

ONSEMI

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Status Active Compliance PbAHP
Package Type TO-204-2 / TO-3-2 Case Outline 197A-05
MSL Type NA MSL Temp (°C) 0
Container Type FTRAY Container Qty. 100
ON Target N Polarity NPN
Type General Purpose VCE(sat) Max (V) 1
IC Cont. (A) 50 VCEO Min (V) 80
VCBO (V) 80 VEBO (V) 5
VBE(sat) (V) 2 VBE(on) (V) 2
hFE Min 15 hFE Max 60
fT Min (MHz) 2 PTM Max (W) 300m
Pricing ($/Unit) $10.4732

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The 2N5686G chip is a high-quality, NPN silicon transistor commonly used in power amplifier and switching applications. It has a maximum collector current rating of 12A and a power dissipation of 75W. With a low saturation voltage and a high current gain, it offers efficient performance and reliable operation.
  • Features

    The 2N5686G is a high-voltage, high-current NPN power transistor. It has a collector current of 25A, a collector-emitter voltage of 400V, and a power dissipation of 130W. It is designed for use in switching applications and motor control circuits.
  • Pinout

    The 2N5686G is a NPN transistor with a pin count of 3. It functions as a general-purpose amplifier or switch.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the 2N5686G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global company that specializes in designing and manufacturing semiconductor components for various industries, including automotive, consumer electronics, industrial, and medical.
  • Application Field

    The 2N5686G is a silicon NPN power transistor commonly used in high-power amplifier applications such as audio amplifiers and RF power amplifiers. It can also be used in other applications where high current and voltage capabilities are required, such as power supplies and motor control circuits.
  • Package

    The 2N5686G chip is a transistor, available in a TO-3 package type. Its form is through-hole, and the size or dimension of the package is TO-3.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation 2N5686G PDF Herunterladen

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