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$5000ON 2N5190G
Bipolar Junction Transistors
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: 2N5190G
Datenblatt: 2N5190G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-225-3
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.343 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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2N5190G Allgemeine Beschreibung
The 2N5190G is a bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplifier and switching applications. It belongs to the NPN (negative-positive-negative) transistor family, meaning it conducts when a small current flows into its base.Its key specifications include a maximum collector current (Ic) of 1A, a maximum collector-emitter voltage (Vce) of 80V, and a power dissipation (Pd) of 800mW. These parameters determine the transistor's capability to handle current and voltage without damage.The transistor comes in a TO-92 package, a common small-sized package suitable for various electronic circuits. Its compact size makes it versatile and easy to integrate into different electronic designs.The 2N5190G's gain bandwidth product (ft) is typically 150MHz, indicating its suitability for applications requiring moderate-frequency amplification.This transistor offers high current gain (hFE) ranging from 60 to 150, providing efficient signal amplification in a wide range of applications.
Funktionen
- This NPN transistor features excellent temperature stability
- It can withstand high temperatures up to 150°C
- The transistor's low input impedance ensures efficient operation
- Its high-frequency performance is also noteworthy
Anwendung
- High-power transistor for RF applications
- Perfect for audio amplifier stages
- Ideal for transmitter and receiver systems
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | TO-225-3 | Case Outline | 77-09 |
| MSL Type | NA | MSL Temp (°C) | 0 |
| Container Type | BLKBX | Container Qty. | 500 |
| ON Target | N | Polarity | NPN |
| Type | General Purpose | VCE(sat) Max (V) | 0.6 |
| IC Cont. (A) | 4 | VCEO Min (V) | 40 |
| VCBO (V) | 40 | VEBO (V) | 5 |
| VBE(on) (V) | 1.2 | hFE Min | 25 |
| hFE Max | 100 | fT Min (MHz) | 2 |
| PTM Max (W) | 40 |
Versand
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|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The 2N5190G is a high-frequency NPN transistor chip designed for use in RF and microwave applications. It offers a high power gain, low noise figure, and high reliability. The chip is commonly used in wireless communication systems, radar systems, and amplifiers where high-frequency performance is required.
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Features
The 2N5190G is a bipolar general-purpose transistor with a maximum collector current of 800 mA. It has a low saturation voltage of 0.25V, high current gain, and is designed for switching applications. It operates at a maximum power dissipation of 800 mW and is housed in a TO-92 package. -
Pinout
The 2N5190G is a transistor that has 3 pins. The function of the pins on the 2N5190G are as follows: Pin 1 is the base, Pin 2 is the collector, and Pin 3 is the emitter. -
Manufacturer
2N5190G is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a semiconductor manufacturing company that specializes in power management, analog, logic, mixed-signal, and discrete devices. They design, produce, and distribute a wide range of semiconductor components used in various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and more. -
Application Field
The 2N5190G is a general-purpose NPN bipolar transistor mainly used in various low-power amplification and switching applications. It can be found in audio amplifiers, small signal amplifiers, oscillator circuits, and general-purpose switching circuits. -
Package
The 2N5190G chip comes in a TO-92 package, which is commonly used for discrete semiconductors. This package has three leads (pins) and a small size, measuring approximately 4.45mm x 4.45mm x 4.32mm.
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