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$5000ON NVF3055L108T1G
223 MOSFET with N Channel transistor polarity, 60V source voltage, and 3A continuous drain current
Marken: ON
Herstellerteil #: NVF3055L108T1G
Datenblatt: NVF3055L108T1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT223
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 10.000 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NVF3055L108T1G Allgemeine Beschreibung
Whether you're working on a new project or replacing an existing N-channel transistor, the NVF3055L108T1G is a solid option to consider. With a drain-source voltage (Vds) of 60V and a continuous drain current (Id) of 3A, this transistor is versatile and reliable. Its surface mount design and Rds(on) test voltage of 5V make it easy to use in a variety of circuits. Plus, with a gate-source threshold voltage max of 1.68V and a power dissipation of 2.1W, you can expect efficient performance. This transistor also comes in a 4-pin package and is fully RoHS compliant, meeting environmental standards
Funktionen
- Military Grade Quality
- UL and ETL Certified
- Conformal Coating Available
- High Temperature Resistance
- Dual In-Line Package (DIP)
- Solder Dip and Wave Soldering Capable
Anwendung
- Industrial Automation
- Switched-Mode Power Supplies
- Power Factor Correction
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Active, Not Rec | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SOT-223-4 / TO-261-4D | Case Outline | 0.0318 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 1000 |
| ON Target | Y | Channel Polarity | N-Channel |
| Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 60 |
| VGS Max (V) | 15 | VGS(th) Max (V) | 2 |
| ID Max (A) | 3 | PD Max (W) | 2.1 |
| RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | 120 | Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | 18 |
| Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 7.6 | Ciss Typ (pF) | 313 |
| Pricing ($/Unit) | $0.4935 |
Versand
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|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NVF3055L108T1G chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) used in various electronic devices and power management systems. It is designed to handle high voltage and high current loads efficiently. The chip offers low on-resistance, allowing for reduced power dissipation and improved system performance.
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Equivalent
Some equivalent products of the NVF3055L108T1G chip include IRF3205, FDP6030BL, IRL530NPBF, and IPP80P03P4L-04. These chips are also N-channel power MOSFETs with similar specifications and characteristics. -
Features
The features of NVF3055L108T1G include a N-Channel MOSFET transistor, a drain-source voltage of 55V, a continuous drain current of 9.3A, and a low on-resistance of 8.6mΩ. It is designed for use in power management applications and provides efficient and reliable performance. -
Pinout
The NVF3055L108T1G is a 6-pin N-channel MOSFET with a TO-263 package. It is used for switching applications in power supply designs. -
Manufacturer
ON Semiconductor is the manufacturer of the NVF3055L108T1G. It is a semiconductor company specializing in energy-efficient solutions for power management and signal processing applications. -
Application Field
The NVF3055L108T1G is a power MOSFET that can be used in a wide range of applications, including switch mode power supplies, motor controls, and battery charger circuits. It can also be used in LED lighting, audio amplifiers, and other power management systems. -
Package
The NVF3055L108T1G chip is available in a TO-263AB package type, has a standard form factor, and has a size of approximately 19.86mm x 10.92mm x 4.57mm.
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