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$5000ON NVMFS6H818NWFT1G
N-Channel 80 V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: NVMFS6H818NWFT1G
Datenblatt: NVMFS6H818NWFT1G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SO-FL EP
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.379 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NVMFS6H818NWFT1G Allgemeine Beschreibung
With the NVMFS6H818NWFT1G, you can trust that you are getting a top-quality Automotive Power MOSFET that has been rigorously tested and proven to meet the stringent standards of the automotive industry. Its compact size, high thermal performance, and Wettable Flank Option make it a standout choice for automotive applications where efficiency, reliability, and performance are paramount
Funktionen
- High Speed Operation
- Low Power Consumption
- Compact Design
- EMI/RFI Immunity
- Wide Operating Temperature
- AEC−Q100 Qualified and PPAP Capable
Anwendung
- Grid-tied inverters
- Battery management
- Pulse width modulation
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | ON Semiconductor | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SO-8FL |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V | Id - Continuous Drain Current: | 123 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.1 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | Qg - Gate Charge: | 46 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W | Configuration: | Single |
| Channel Mode: | Enhancement | Qualification: | AEC-Q101 |
| Packaging: | Reel | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Brand: | ON Semiconductor | Forward Transconductance - Min: | 170 S |
| Fall Time: | 21 ns | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 98 ns | Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 49 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns | Tags | NVMFS6H, NVMFS6, NVMFS, NVMF, NVM |
| Unit Weight: | 0.026455 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NVMFS6H818NWFT1G is a high-performance 60V N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low gate charge and low on-resistance, making it ideal for use in battery management, motor control, and power supply applications. The chip is housed in a compact PowerFLAT 5x6 package for optimized thermal performance.
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Equivalent
The equivalent products of NVMFS6H818NWFT1G chip are NVMFS3H853NWFT1G, NVMFS5H860NWFT1G, NVMFS6F080NWFT1G, NVMFS5H847NWFT1G, NVMFS2545NWFT1G, NVMFS5100NWFT1G, NVMFS4575NF, and NVMFS2545NT1G. -
Features
The NVMFS6H818NWFT1G is a 60 V, 5.5 mΩ, 120 A N-channel MOSFET with a maximum power dissipation of 220 W. It features low on-resistance, excellent switching performance, and a compact footprint, making it suitable for high current power management applications. -
Pinout
The NVMFS6H818NWFT1G is a 1-ch MOSFET with a pin count of 8. It is an N-channel Power MOSFET with a high side configuration, suitable for high current applications with a voltage rating of 60V and a maximum continuous drain current of 56A. -
Manufacturer
NVMFS6H818NWFT1G is manufactured by ON Semiconductor, a leading supplier of power management solutions. ON Semiconductor is a semiconductor company that specializes in energy-efficient power management, sensors, and signal management products. Their technology helps customers design innovative products that increase energy efficiency and reduce environmental impact. -
Application Field
The NVMFS6H818NWFT1G is commonly used in power management applications such as voltage regulation and current protection in automotive systems, industrial automation, and telecommunications equipment. It is also suitable for use in LED lighting, motor control, and battery management applications. -
Package
The NVMFS6H818NWFT1G chip is a PowerPAK SO-8 package with a form of surface mount and a size of 5mm x 6mm x 1mm.
Datenblatt PDF
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