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ON 2SC5707-E
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 8 A 330MHz 1 W Through Hole TP
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: 2SC5707-E
Datenblatt: 2SC5707-E Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-251
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2072 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,313 | $1,313 |
| 10 | $1,128 | $11,280 |
| 30 | $1,026 | $30,780 |
| 100 | $0,913 | $91,300 |
| 500 | $0,861 | $430,500 |
| 1000 | $0,838 | $838,000 |
In Stock:2072 PCS
2SC5707-E Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 8 A 330MHz 1 W Through Hole TP
Funktionen
- Adoption of FBET and MBIT processes
- Large current capacitance
- Low collector-to-emitter saturation voltage
- High-speed switching
- High allowable power dissipation
Anwendung
- DC-DC converter, Relay drivers, Lamp drivers, Motor drivers, Flash
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | ON Semiconductor | Product Category: | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS: | Y | Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-251-3 | Transistor Polarity: | NPN |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V | Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 160 mV, 110 mV | Maximum DC Collector Current: | 11 A |
| Gain Bandwidth Product fT: | 330 MHz | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | 2SC5707 |
| Packaging: | Bulk | Brand: | ON Semiconductor |
| Continuous Collector Current: | 8 A | DC Collector/Base Gain hfe Min: | 200 |
| Pd - Power Dissipation: | 15 W | Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 500 | Subcategory: | Transistors |
| Unit Weight: | 0.139332 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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Verpackung
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The 2SC5707-E is a bipolar transistor chip used for amplification in electronic circuits. It is designed to provide high power output with low distortion and is commonly used in audio systems and power amplifiers. The chip offers high reliability and performance, making it suitable for various applications that require efficient signal amplification.
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Equivalent
Some equivalent products of the 2SC5707-E chip include the NTE290A, 2SD965, 2SC2911, and 2SC3423. -
Features
The 2SC5707-E is a bipolar transistor with a maximum collector current of 3A and a voltage of 160V. It has a low saturation voltage, excellent switching speed, and high current gain. It is commonly used in power switching applications due to its reliability and performance. -
Pinout
The 2SC5707-E is a bipolar junction transistor with a pin count of three. The pin functions are as follows: 1. Emitter - connected to the semiconductor material's n-type region 2. Base - controls the transistor's conductivity and amplification 3. Collector - collects the majority charge carriers and conducts them to the external circuit. -
Manufacturer
The manufacturer of the 2SC5707-E is Toshiba Corporation. It is a Japanese multinational conglomerate company specializing in various sectors, including information technology, electronics, and industrial infrastructure. -
Application Field
The 2SC5707-E is a high-frequency transistor commonly used in applications where amplification of low-power signals is required, such as in radio frequency (RF) circuits, mobile communication devices, and wireless systems. Its high gain and low noise characteristics make it suitable for use in various electronic applications requiring signal amplification. -
Package
The package type of the 2SC5707-E chip is SOT-89. It has a through-hole form and a compact size.
Datenblatt PDF
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