Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
Bestellungen über
$5000ON 2SA2016-TD-E
PNP Bipolar Junction Transistors capable of handling 7A current and 50V voltage
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: 2SA2016-TD-E
Datenblatt: 2SA2016-TD-E Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-89
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.960 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
2SA2016-TD-E Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 7 A 330MHz 3.5 W Surface Mount PCP
Funktionen
- Superior performance
- Ultra-fast switching speed
- Advanced thermal management
- Precision temperature control
- Enhanced reliability features
- Optimized power handling
Anwendung
- Speaker drivers, Heating drivers, Display drivers
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SOT-89 / PCP-1 | Case Outline | 419AU |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 1000 |
| ON Target | Y | Polarity | PNP |
| Type | Low VCE(sat) | VCE(sat) Max (V) | 0.39 |
| IC Cont. (A) | 7 | VCEO Min (V) | 50 |
| VCBO (V) | 100 | VEBO (V) | 6 |
| VBE(sat) (V) | 0.83 | hFE Min | 200 |
| hFE Max | 560 | fT Min (MHz) | 290 |
| PTM Max (W) | 1.3 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The 2SA2016-TD-E chip is an electronic component used in various applications. It is a PNP silicon transistor with a maximum collector current of 100 mA and a maximum power dissipation of 500 mW. The chip offers high frequency performance, low noise, and low distortion characteristics, making it suitable for use in audio and general-purpose amplifiers.
-
Features
The features of 2SA2016-TD-E include a low VCE(sat) of 0.2V, a high hFE of 2000, a collector current (IC) of 0.05A, and a power dissipation (PD) of 0.15W. It is a small signal PNP bipolar transistor commonly used in low voltage amplifier applications. -
Pinout
The 2SA2016-TD-E is a bipolar transistor. It has a pin count of 3 and the function of each pin is as follows: 1. Collector (C) 2. Base (B) 3. Emitter (E) It is commonly used in audio amplifier applications and other electronic circuits requiring high current gain and low noise performance. -
Manufacturer
The manufacturer of the 2SA2016-TD-E is Toshiba. Toshiba is a multinational conglomerate company that specializes in various products and services, including electronics, semiconductors, and power systems. -
Application Field
The 2SA2016-TD-E is a general-purpose NPN bipolar junction transistor that can be used in a wide range of circuits and applications. Some common application areas include audio amplifiers, switching circuits, voltage regulators, and general-purpose amplification where low noise and high current capability are required. -
Package
The package type of the 2SA2016-TD-E chip is a TO-252G (DPAK) package. It has a form of SMD (Surface Mount Device) and a size of 6.86mm x 6.86mm x 2.4mm.
Datenblatt PDF
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
