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ON 2SC4135T-E
(-)100V (-)2A Bipolar Transistor designed for efficient high-voltage switching applications with low VCE(sat)
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: 2SC4135T-E
Datenblatt: 2SC4135T-E Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: IPAK
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.314 Stück, Neues Original
Produktart: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,397 | $0,397 |
| 200 | $0,153 | $30,600 |
| 500 | $0,148 | $74,000 |
| 1000 | $0,146 | $146,000 |
Auf Lager: 3.314 Stck
2SC4135T-E Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 120MHz 1 W Through Hole TP
Funktionen
- Advanced algorithms for data compression and encryption
- Fault-tolerant architecture for reliable operation
- Rapid recovery from power failures or errors
- Multimode communication protocol for diverse applications
Anwendung
- High speed data transfer
- Low power consumption
- Compact design for tight spaces
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Last Shipments | Compliance | PbAHP |
| Package Type | IPAK / TP | Case Outline | 369AJ |
| MSL Type | NA | MSL Temp (°C) | 0 |
| Container Type | BLKBG | Container Qty. | 500 |
| ON Target | N | Polarity | NPN |
| Type | Low VCE(sat) | VCE(sat) Max (V) | 0.4 |
| IC Cont. (A) | 2 | VCEO Min (V) | 100 |
| VCBO (V) | 120 | VEBO (V) | 6 |
| VBE(sat) (V) | 0.85 | hFE Min | 200 |
| hFE Max | 400 | PTM Max (W) | 1 |
| Pricing ($/Unit) | Price N/A |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The 2SC4135T-E chip is a high-power, high-frequency transistor developed by Toshiba. It is used in a range of applications, including audio amplifiers, RF power amplifiers, and industrial equipment. The chip offers excellent performance and reliability, making it a popular choice for professionals in various industries.
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Equivalent
There are no direct equivalent products for the 2SC4135T-E chip. However, alternatives that may be used instead include the 2SC4135 transistor or other similar high-speed switching transistors like the 2SC4137 or 2SC4136, depending on the specific application requirements. -
Features
The 2SC4135T-E is a silicon NPN triple diffusion mesa type transistor. It features high breakdown voltage, low saturation voltage, and high-speed switching. Its compact size and high reliability make it suitable for applications in various electronic devices. -
Pinout
The 2SC4135T-E is a 3-pin NPN transistor with a collector current of 1.5A and a collector-emitter voltage of 120V. The pins are labeled as follows: Pin 1: Emitter, Pin 2: Base, Pin 3: Collector. -
Manufacturer
The manufacturer of the 2SC4135T-E is Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation. Toshiba is a multinational conglomerate company that operates in various industries, including electronic devices, semiconductors, and storage products. They specialize in the development and manufacturing of a wide range of consumer electronics and industrial products. -
Application Field
The 2SC4135T-E is a high-frequency transistor commonly used in applications such as low noise amplifiers, oscillators, and RF power amplifiers. Its high gain, low noise figure, and suitable power handling capabilities make it well-suited for use in wireless communication systems, radar systems, and other high-frequency electronic devices. -
Package
The 2SC4135T-E chip is a surface-mount transistor package type with a TO-252(DPAK) form factor and a size of approximately 6.5mm x 6.1mm x 2.27mm.
Datenblatt PDF
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