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$5000MJE13007G
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 14MHz 80 W Through Hole TO-220
Marken: onsemi
Herstellerteil #: MJE13007G
Datenblatt: MJE13007G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.514 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MJE13007G Allgemeine Beschreibung
The MJE/MJF13007G is a powerful component engineered for high-voltage applications that require swift power switching. Its design prioritizes efficiency and reliability in inductive circuits where rapid fall time is essential. This makes it an ideal choice for various switchmode applications running at 115 and 220 volts. From Switching Regulators to Motor Controls, Solenoid/Relay drivers, and Deflection circuits, this transistor delivers top-notch performance
Funktionen
- Pulse Width Modulation Control
- Fault Tolerant Design
- Silicon-Controlled Rectifier
- Transient Response Analysis
- Low Frequency Ripples Elimination
- Voltage Regulator IC
Anwendung
- Power Management
- Motor Drive & Control
- Industrial
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Series | SWITCHMODE™ | Package | Tube |
| Product Status | Active | Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 2A, 8A | Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 5A, 5V | Power - Max | 80 W |
| Frequency - Transition | 14MHz | Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220 |
Versand
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|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The MJE13007G is a high-voltage, high-speed NPN power transistor designed for use in switching applications such as power supplies and electronic ballasts. It can handle up to 400 volts and 8 amps of continuous current. Its compact size and high efficiency make it ideal for a wide range of power management applications.
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Equivalent
The equivalent products of MJE13007G chip are NTE264, 2N3055, ECG13007, MJE3055T, and NTE287. -
Features
The MJE13007G is a high-voltage, high-speed NPN power transistor designed for general-purpose switching and amplifier applications. It has a collector-emitter voltage of 400V, a collector current of 8A, and a power dissipation of 25W. This transistor is commonly used in power supply, inverter, and motor control circuits. -
Pinout
MJE13007G is a high-voltage NPN power transistor with a maximum voltage rating of 400V and a maximum current rating of 8A. It has a TO-220 package with three pins: the collector (C), the emitter (E), and the base (B). It is commonly used in switching power supplies and electronic ballasts. -
Manufacturer
The manufacturer of MJE13007G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a semiconductor supplier company that offers a comprehensive portfolio of energy-efficient power and signal management, logic, discrete, and custom solutions for automotive, communications, industrial, aerospace, and defense applications. -
Application Field
MJE13007G is commonly used in applications such as electronic ballasts, switched-mode power supplies, linear regulators, and other high voltage, high-speed switching applications. It is specifically designed for high voltage and high-speed switching applications in industrial and consumer electronics. -
Package
The MJE13007G chip is a TO-220 package type, with a through-hole mounting form. It has a size of 10.16mm x 4.57mm x 9.525mm.
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