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MJL21196
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-264
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: MJL21196
Datenblatt: MJL21196 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-264-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.338 Stück, Neues Original
Produktart: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,438 | $1,438 |
| 10 | $1,244 | $12,440 |
| 25 | $1,060 | $26,500 |
| 100 | $0,935 | $93,500 |
| 500 | $0,878 | $439,000 |
| 1000 | $0,853 | $853,000 |
Auf Lager: 7.338 Stck
MJL21196 Allgemeine Beschreibung
From audio amplifiers to disk head positioners, the MJL21196 transistor offers a reliable and efficient solution for high power applications. Its robust design and Perforated Emitter technology make it a standout choice for engineers and enthusiasts looking to enhance their audio systems with top-of-the-line components
Funktionen
- Low Voltage Operation Supported
- Fast Switching Time Guaranteed
- Pulse Width Modulation Compatible
- High Current Density Achieved
- Excellent Thermal Stability Provided
- Multiple Output Configuration Available
Anwendung
16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W
The MJL21195 and MJL21196 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Transistor Polarity | NPN |
| Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 250 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 400 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum DC Collector Current | 16 A | Pd - Power Dissipation | 200 W |
| Gain Bandwidth Product fT | 4 MHz | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | STMicroelectronics |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 25 at 8 A, 5 V | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
| Subcategory | Transistors |
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