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$5000MMDF2C03HDR2G
MOSFET COMP S08C 30V 4.1A 70mOhm
Marken: onsemi
Herstellerteil #: MMDF2C03HDR2G
Datenblatt: MMDF2C03HDR2G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 8-SOIC
Produktart: FET, MOSFET Arrays
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.994 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MMDF2C03HDR2G Allgemeine Beschreibung
The MMDF2C03HDR2G is a reliable and efficient option for designers and engineers in need of a power MOSFET solution for their low voltage, high speed switching applications. Its miniature size, low RDS(on), and true logic level performance make it an ideal choice for applications where power efficiency is crucial. The device's ability to withstand high energy in the avalanche and commutation modes, paired with its low reverse recovery time for the drain-to-source diode, sets it apart from other options on the market
Funktionen
- Soft Recovery for Reduced EMI
- High Efficiency with Low VF
- Pulse by Pulse Current Limiting
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | onsemi | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOIC-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 4.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 70 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 2 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | onsemi | Configuration | Dual |
| Fall Time | 23 ns, 194 ns | Forward Transconductance - Min | 3.6 S |
| Height | 1.5 mm | Length | 5 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 65 ns, 18 ns |
| Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 30 ns, 81 ns | Typical Turn-On Delay Time | 12 ns, 16 ns |
| Width | 4 mm |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The MMDF2C03HDR2G is a MOSFET H-bridge power switch designed for high-speed switching applications. It offers low ON-resistance and space-saving packaging, making it ideal for use in automotive, industrial, and consumer electronics applications. This chip is capable of controlling high current and voltage levels effectively, improving system efficiency and performance.
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Equivalent
The equivalent products of MMDF2C03HDR2G chip are FDMS86181 and FDMS86101BZ. These are both dual N-channel PowerTrench MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
MMDF2C03HDR2G is a high-gain, low noise figure GaAs MESFET RF amplifier with a frequency range of 5 to 500 MHz. It offers high linearity, high gain, and low power consumption, making it suitable for various communication and RF applications. -
Pinout
The MMDF2C03HDR2G is a dual 2:1 Mux/Demux switch with a pin count of 56. It is used for data routing and signal switching applications in communication systems and networking equipment. It features high-speed operation and low crosstalk performance. -
Manufacturer
The manufacturer of MMDF2C03HDR2G is ON Semiconductor, which is a semiconductor manufacturing company. They design and produce a wide range of power management, connectivity, and analog semiconductor products for a variety of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
MMDF2C03HDR2G is a high-power, low-loss Schottky diode commonly used in applications such as RF detector circuits, high-frequency mixers, and signal demodulation. Its high power handling capability makes it suitable for use in radar systems, microwave communications, and other high-frequency applications requiring fast switching speeds and low noise. -
Package
The MMDF2C03HDR2G chip is housed in a DFN-8 (2mm x 2mm) package. It is a high-speed, high-voltage MOSFET driver with a peak output current of 2A, designed for driving small and medium power N-channel MOSFETs in high-speed switching applications.
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