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MT41K512M8RH-107:E

MT41K512M8RH-107E DDR3 SDRAM 512Mx8 Plastic Pb-Free BGA Commercial

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Micron Technology

Herstellerteil #: MT41K512M8RH-107:E

Datenblatt: MT41K512M8RH-107:E Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: FBGA-78

Produktart: Speicher

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MT41K512M8RH-107:E Allgemeine Beschreibung

Micron Technology's MT41K512M8RH-107:E DRAM module is a high-capacity and high-speed memory solution designed for demanding applications. With a capacity of 4Gb and operating at a speed of 2133MHz with a CAS latency of 15 cycles, this module provides rapid and efficient data access for computer systems, servers, and networking equipment. Its RoHS compliance ensures that it meets environmental and health standards, making it a responsible choice for businesses and organizations. The module's temperature sensor allows for monitoring of operating conditions, contributing to its overall reliability and performance

Funktionen

  • Memory capacity expansion
  • Low latency and high bandwidth
  • Data security features

Anwendung

  • Fast memory for servers
  • High-speed DDR3 SDRAM

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category DRAM Mounting Style SMD/SMT
Package / Case FBGA-78 Series MT41K
Brand Micron Product Type DRAM
Subcategory Memory & Data Storage

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

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2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The MT41K512M8RH-107:E is a DDR3 SDRAM chip manufactured by Micron Technology. It has a capacity of 4 Gb and operates at a speed of 1066 MHz. This chip is often used in computer systems, servers, and other electronic devices that require high-speed, high-capacity memory.
  • Equivalent

    The equivalent products of MT41K512M8RH-107:E chip are Micron MT41K512M8RH-125:E, MT41K512M8TH-125:E, Samsung K4B4G0846D-BCK0, and Hynix H5TC4G63CFR-PBA. These chips are DDR3 SDRAM components with similar specifications in terms of capacity, speed, and form factor.
  • Features

    The features of MT41K512M8RH-107:E include a 4Gb DDR3 SDRAM, 8 internal banks, 8K refresh cycle and a burst length of 8. It operates at a maximum frequency of 1066 MHz and has a voltage supply of 1.5V. It is available in a 78-ball FBGA package and is RoHS compliant.
  • Pinout

    The MT41K512M8RH-107:E has a 78-ball FBGA package and functions as a 4Gb DDR3L SDRAM. It features a 16-bit data bus and operates at 1.35V. This memory module is typically used in applications such as networking equipment, industrial and automotive systems, and computing devices.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the MT41K512M8RH-107:E is Micron Technology, Inc. It is a multinational company specializing in the production of computer memory and computer data storage, including dynamic random-access memory (DRAM), flash memory, and solid-state drives. Micron Technology is a leading technology company in the semiconductor industry.
  • Application Field

    The MT41K512M8RH-107:E is widely used in high-speed, high-density memory applications such as networking equipment, telecommunications, data storage, and industrial automation. Its high-performance and high-capacity make it suitable for a variety of memory-intensive processing tasks in these industries.
  • Package

    The MT41K512M8RH-107:E chip comes in a 96-ball BGA package type. It has a 12mm x 14mm form factor and a size of 0.8mm ball pitch.

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