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$5000MTD20N06HD
N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET
Marken: onsemi
Herstellerteil #: MTD20N06HD
Datenblatt: MTD20N06HD Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-252-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MTD20N06HD Allgemeine Beschreibung
Take your power electronics to the next level with the MTD20N06HD Power MOSFET. Designed to withstand high energy levels in both avalanche and commutation modes, this MOSFET features an energy efficient design with a drain-to-source diode that ensures a fast recovery time. Perfect for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters, and PWM motor controls, the MTD20N06HD is well-suited for bridge circuits where diode speed and safe operating areas are crucial. Additionally, this device offers an added safety margin against unexpected voltage transients, making it the ideal choice for reliable and efficient power management solutions
Funktionen
- Suitable for High-Speed Data Transmission Systems
- Features Low Forward Voltage Drop and High Current Handling
- Demonstrates Excellent Thermal Performance Characteristics
- Achieves Fast Switching Times with No Tail-Current
- Designed for Reliability and Low Defect Rates
- Meets All Key Automotive Grade 1 Specifications
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| Technology: | Si | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 1.75 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Rail |
| Brand: | onsemi | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 36 ns | Forward Transconductance - Min: | 6 S |
| Height: | 2.38 mm | Length: | 6.73 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 61.2 ns |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.2 ns | Width: | 6.22 mm |
| Unit Weight: | 0.011640 oz |
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|---|---|---|---|
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