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MTB23P06V

P-CHANNEL TRANSISTOR 60V 23A D2PAK

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Onsemi

Herstellerteil #: MTB23P06V

Datenblatt: MTB23P06V Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-263-3

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Funktionen

  • On–resistance Area Product about One–half that of Standard
  • MOSFETs with New Low Voltage, Low RDS(on)Technology
  • Faster Switching than E–FET Predecessors
  • Features Common to TMOS V and TMOS E–FETS
  • Avalanche Energy Specified
  • IDSSand VDS(on)Specified at Elevated Temperature
  • Static Parameters are the Same for both TMOS V and TMOS E–FET

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case TO-263-3
Transistor Polarity P-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V Id - Continuous Drain Current 23 A
Rds On - Drain-Source Resistance 120 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 15 V, + 15 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Pd - Power Dissipation 90 W Channel Mode Enhancement
Brand onsemi Configuration Single
Fall Time 62 ns Forward Transconductance - Min 11.5 S
Height 4.83 mm Length 10.29 mm
Product Type MOSFET Rise Time 98.3 ns
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 P-Channel
Type MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 41 ns
Typical Turn-On Delay Time 13.8 ns Width 9.65 mm
Unit Weight 0.139332 oz

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

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  • Vakuumverpackung

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  • Antistatikbeutel

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  • Individuelle Verpackung

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  • Verpackungskartons

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  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The MTB23P06V is a power MOSFET transistor chip designed for use in a wide range of electronic applications. It offers a low on-resistance and high switching speeds, making it ideal for power management and control in various devices. Its compact size and high efficiency make it popular in power electronics and automotive systems.
  • Equivalent

    The equivalent products of the MTB23P06V chip are Infineon IPB23P06S3L-16, ON Semiconductor NTB23P06T4G, and Vishay Siliconix Si7856DP. These chips have similar specifications and functions as the MTB23P06V chip.
  • Features

    - P-channel MOSFET - Maximum Drain-Source Voltage of 60V - Continuous Drain Current of 23A - Low on-resistance of 33 mΩ - TO-263 package - Suitable for applications in power management, motor control, and battery protection circuits
  • Pinout

    The MTB23P06V is a Dual N-Channel Power MOSFET with a pin count of 8. Pin 1 is the source of the first MOSFET, while pin 8 is the source of the second MOSFET. Pins 3 and 6 are the gates of the two MOSFETs, and pins 4 and 5 are their respective drains.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the MTB23P06V is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a semiconductor supplier company that designs, manufactures, and markets a wide range of power and signal management, discrete, and custom devices for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The MTB23P06V can be used in various applications including automotive, industrial, telecom, and consumer electronics. It is commonly utilized as a power MOSFET in switching circuits, motor control, power supplies, and battery management systems. Its high voltage and current ratings make it suitable for applications requiring efficient power management and control.
  • Package

    The MTB23P06V chip is available in a TO-247 package type, with a P-channel MOSFET form. It has a size of 10mm x 24.6mm x 4.6mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

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    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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