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NE85619-T1-A

High-performance NPN transistor for ultra-high frequency us

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: CEL

Herstellerteil #: NE85619-T1-A

Datenblatt: NE85619-T1-A Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-523

Produktart: Bipolar RF Transistors

RoHS-Status:

Lagerzustand: 7.087 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NE85619-T1-A Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 125mW Surface Mount SOT-523

Funktionen

  • HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:
  • fT= 7 GHz
  • LOW NOISE FIGURE:
  • 1.1 dB at 1 GHz
  • HIGH COLLECTOR CURRENT:100 mA
  • HIGH RELIABILITY METALLIZATION
  • LOW COST

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Package Tape & Reel (TR) Product Status Obsolete
Transistor Type NPN Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequency - Transition 4.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz
Gain 9dB Power - Max 125mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Operating Temperature 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-523

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The NE85619-T1-A is a high-frequency amplifier chip designed for use in RF and microwave applications. It offers a fast response time and low noise characteristics, making it ideal for use in communications and radar systems. The NE85619-T1-A chip is commonly used in telecommunications equipment and other high-frequency devices.
  • Equivalent

    Equivalent products of NE85619-T1-A chip are NE85619, NE85638, and NE85638-T1-A. These are all NPN silicon RF transistors designed for high frequency power amplification applications in the UHF range.
  • Features

    NE85619-T1-A is a RF amplifier IC with a frequency range of 1.5 GHz to 2.3 GHz, gain of 15 dB, and noise figure of 4 dB. It is designed for use in mobile communication applications and offers excellent linearity, low noise, and high gain performance.
  • Pinout

    The NE85619-T1-A is a dual-gate N-channel JFET with 6 pins. Pin 1 and 2 are connected to the first gate, pin 3 is the source, pin 4 is the drain, pin 5 is the substrate, and pin 6 is connected to the second gate. The JFET is used for low-noise amplification and switching applications.
  • Manufacturer

    The NE85619-T1-A is manufactured by NXP Semiconductors, a Dutch-American semiconductor manufacturer. NXP Semiconductors specializes in the design and production of a wide range of semiconductor technologies for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
  • Application Field

    The NE85619-T1-A is commonly used in applications requiring a high-performance, low noise amplifier such as in RF communication systems, radar systems, test equipment, and instrumentation. It can also be used in satellite communication, cellular infrastructure, and broadcast equipment.
  • Package

    The NE85619-T1-A chip is a SOT-23 surface mount package, a form of integrated circuit packaging. The dimensions of the SOT-23 package are typically around 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

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