Bestellungen über
$5000NE85619-T1-A
High-performance NPN transistor for ultra-high frequency us
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: CEL
Herstellerteil #: NE85619-T1-A
Datenblatt: NE85619-T1-A Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-523
Produktart: Bipolar RF Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.087 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
NE85619-T1-A Allgemeine Beschreibung
RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 125mW Surface Mount SOT-523
Funktionen
- HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:
- fT= 7 GHz
- LOW NOISE FIGURE:
- 1.1 dB at 1 GHz
- HIGH COLLECTOR CURRENT:100 mA
- HIGH RELIABILITY METALLIZATION
- LOW COST
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Package | Tape & Reel (TR) | Product Status | Obsolete |
Transistor Type | NPN | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequency - Transition | 4.5GHz | Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Gain | 9dB | Power - Max | 125mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 7mA, 3V | Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Operating Temperature | 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | SOT-523 |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
---|---|---|---|
![]() |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
![]() |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
![]() |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
![]() |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
![]() |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
![]() |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
---|---|---|
![]() |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
![]() |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
![]() |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
![]() |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
![]() |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
Schritt1 :Produkt
-
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
Schritt5 :Verpackungskartons
-
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The NE85619-T1-A is a high-frequency amplifier chip designed for use in RF and microwave applications. It offers a fast response time and low noise characteristics, making it ideal for use in communications and radar systems. The NE85619-T1-A chip is commonly used in telecommunications equipment and other high-frequency devices.
-
Equivalent
Equivalent products of NE85619-T1-A chip are NE85619, NE85638, and NE85638-T1-A. These are all NPN silicon RF transistors designed for high frequency power amplification applications in the UHF range. -
Features
NE85619-T1-A is a RF amplifier IC with a frequency range of 1.5 GHz to 2.3 GHz, gain of 15 dB, and noise figure of 4 dB. It is designed for use in mobile communication applications and offers excellent linearity, low noise, and high gain performance. -
Pinout
The NE85619-T1-A is a dual-gate N-channel JFET with 6 pins. Pin 1 and 2 are connected to the first gate, pin 3 is the source, pin 4 is the drain, pin 5 is the substrate, and pin 6 is connected to the second gate. The JFET is used for low-noise amplification and switching applications. -
Manufacturer
The NE85619-T1-A is manufactured by NXP Semiconductors, a Dutch-American semiconductor manufacturer. NXP Semiconductors specializes in the design and production of a wide range of semiconductor technologies for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The NE85619-T1-A is commonly used in applications requiring a high-performance, low noise amplifier such as in RF communication systems, radar systems, test equipment, and instrumentation. It can also be used in satellite communication, cellular infrastructure, and broadcast equipment. -
Package
The NE85619-T1-A chip is a SOT-23 surface mount package, a form of integrated circuit packaging. The dimensions of the SOT-23 package are typically around 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte