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NGTB40N120SWG 48HRS

IGBT Transistors FSII 40A 1200V Welding

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: onsemi

Herstellerteil #: NGTB40N120SWG

Datenblatt: NGTB40N120SWG Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-247-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 8.323 Stück, Neues Original

Produktart: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $7,523 $7,523
10 $6,687 $66,870
30 $6,177 $185,310
100 $5,751 $575,100

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NGTB40N120SWG Allgemeine Beschreibung

IV. Elevate your switching applications with the NGTB40N120SWG Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT). Boasting a robust and cost-effective Trench construction, this IGBT delivers superior performance in demanding industrial settings. With low on-state voltage and minimal switching loss, it guarantees unparalleled efficiency and energy savings. Perfect for welding applications, it comes equipped with a soft and fast co-packaged free wheeling diode featuring a low forward voltage for added convenience and functionality

Funktionen

  • Low Input Current
  • High Isolation Voltage
  • Compact Size and Weight
  • Economical Pricing Policy
  • Long Shelf Life Guarantee
  • Fully RoHS Compliant

Anwendung

  • Gate and Fence Installation
  • Automotive Bodywork
  • DIY Crafting Projects

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Package Tube Product Status Obsolete
IGBT Type Trench Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Power - Max 535 W
Switching Energy 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Input Type Standard
Gate Charge 313 nC Td (on/off) @ 25°C 116ns/286ns
Test Condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 240 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-247-3 Supplier Device Package TO-247-3
Base Product Number NGTB40

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
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1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The NGTB40N120SWG is a high power IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip designed for use in high-voltage and high-current applications. It features a current rating of 40A and a voltage rating of 1200V, making it suitable for use in a wide range of power electronic systems including motor drives, inverters, and power supplies. The chip is designed to offer high performance, reliability, and efficiency in demanding industrial and automotive applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of NGTB40N120SWG chip include IRG4BC30KD, AUIRG4BC30UD, and IRGS4B60KD. These are also insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with similar voltage and current ratings that can be used as alternatives in various applications.
  • Features

    - High power NPT IGBT - 1200V breakdown voltage - 40A continuous collector current - Low VCE(on) for higher efficiency - Square RBSOA for robustness and reliability - Integrated anti-parallel diode - High thermal cycling capability - Low switching losses Overall, a high-performance and reliable NPT IGBT with excellent power handling capabilities.
  • Pinout

    The NGTB40N120SWG is a 3-pin IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a TO-247 package. The pin count includes the gate (G), collector (C), and emitter (E). The functions of these pins are to control the current flow between the collector and emitter by applying voltage to the gate.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the NGTB40N120SWG is ON Semiconductor. It is a Fortune 500 semiconductor supplier company that designs and manufactures a range of semiconductor products for various applications including power management, signal amplification, and energy-efficient solutions.
  • Application Field

    The NGTB40N120SWG is commonly used in power supply applications, motor control, and industrial inverters. It is also suitable for use in renewable energy systems such as solar inverters and wind turbine power converters. Additionally, it can be used in welding equipment, UPS systems, and electric vehicle charging stations.
  • Package

    The NGTB40N120SWG chip comes in a TO-3P package type with a single form and size of 16.5mm x 7.5mm x 5.5mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

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