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NGTB40N120FL2WG
IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 535 W Through Hole TO-247
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: onsemi
Herstellerteil #: NGTB40N120FL2WG
Datenblatt: NGTB40N120FL2WG Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $5,550 | $5,550 |
10 | $4,912 | $49,120 |
30 | $4,456 | $133,680 |
100 | $4,130 | $413,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
NGTB40N120FL2WG Allgemeine Beschreibung
The NGTB40N120FL2WG IGBT is a reliable and efficient electronic component designed for high power applications. With a voltage rating of 1.2kV and a current rating of 80A, this IGBT is suitable for a wide range of industrial and automotive applications. The TO-247 package ensures easy installation and thermal management, while the RoHS compliance guarantees environmental friendliness
![](/files/uploads/product/b/442e5959-02d4-4abf-9f8a-65f65bf5dc08.webp)
Funktionen
- Fast and Reliable Rectification
- Low Loss and High Current Handling
- Robust and Durable Package Design
- Safe Operating Area and Long Lifespan
- High Efficiency and Low Noise Emission
- Compliance with Industry Standard
Anwendung
- Smart Grid Solutions
- Renewable Energy
- Electric Vehicles
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | onsemi | Product Category: | IGBT Transistors |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Package / Case: | TO-247 | Mounting Style: | Through Hole |
Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A | Pd - Power Dissipation: | 535 W |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
Series: | NGTB40N120FL2 | Packaging: | Tube |
Brand: | onsemi | Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
Product Type: | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity: | 30 |
Subcategory: | IGBTs |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NGTB40N120FL2WG chip is a semiconductor device used in power electronic applications. It is a 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module that combines low conduction loss and high switching speed. The chip is designed for applications such as motor drives, power supplies, and renewable energy systems, offering efficient power switching and improved performance.
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Features
The NGTB40N120FL2WG is a 1200V IGBT power module with a low-loss and high-speed switching performance. It features a low saturation voltage, fast turn-off and reverse recombination voltage recovery, and a compact and lightweight package design with integrated gate driver. -
Pinout
The NGTB40N120FL2WG is a power semiconductor device. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. It is designed for high-voltage applications and can handle up to 40A of current and 1200V of voltage. -
Manufacturer
The manufacturer of the NGTB40N120FL2WG is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductors and solutions supplier. It specializes in designing and manufacturing power management, analog, logic, discrete, and custom devices for various industries, including automotive, industrial, communication, and computing sectors. -
Application Field
The NGTB40N120FL2WG is a high-power MOSFET designed for various applications such as switching power supplies, motor control, and uninterruptible power supplies (UPS). It is specifically suitable for applications requiring high efficiency and reliability, such as industrial and automotive systems, renewable energy systems, and electric vehicle charging. -
Package
The NGTB40N120FL2WG chip has a TO-247-3 package type, form is Tubular and its size is 10.42mm x 28.7mm x 5.6mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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