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$5000NEXPERIA PIMZ2,115
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 100MHz, 190MHz 300mW Surface Mount 6-TSOP
Marken: Nexperia
Herstellerteil #: PIMZ2,115
Datenblatt: PIMZ2,115 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 6-TSOP
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.949 Stück, Neues Original
Produktart: Bipolar Transistor Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $0,213 | $0,213 |
200 | $0,082 | $16,400 |
500 | $0,079 | $39,500 |
1000 | $0,078 | $78,000 |
Auf Lager: 8.949 Stck
PIMZ2,115 Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 100MHz, 190MHz 300mW Surface Mount 6-TSOP
Funktionen
- Enhanced product performance offered
- Improved reliability ensured
- Faster time-to-market achieved
- AEC-Q101 qualified
Anwendung
- Efficient switching capabilities of PIMZ2,115
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer | Nexperia | Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
RoHS | Details | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | TSOP-6 | Transistor Polarity | NPN, PNP |
Configuration | Dual | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 60 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
Maximum DC Collector Current | 150 mA | Pd - Power Dissipation | 300 mW |
Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz, 190 MHz | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | Nexperia |
DC Current Gain hFE Max | 120 at 1 mA, 6 V | Height | 1 mm |
Length | 3.1 mm | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Width | 1.7 mm |
Part # Aliases | 934057906115 |
Versand
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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