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$5000PUMB10,115
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 180MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
Marken: NXP USA Inc.
Herstellerteil #: PUMB10,115
Datenblatt: PUMB10,115 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
Produktart: Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.374 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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PUMB10,115 Allgemeine Beschreibung
Compact yet powerful, the PUMB10 is a top-of-the-line PNP/PNP double Resistor-Equipped Transistor (RET) encapsulated in a small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Its NPN/PNP and NPN/NPN complements, PUMD10 and PUMH10, give engineers the flexibility to customize their circuits for optimal performance. Whether used in consumer electronics or industrial applications, the PUMB10 is a versatile solution that delivers premium results in a miniature package
Funktionen
- Simplified power supply requirements
- Increased operating frequency
- Built-in overcurrent protection circuitry
Anwendung
- Efficient LED controller
- Simple interface design
- Low power consumption
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Package | Bulk | Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V | Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA | Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Frequency - Transition | 180MHz | Power - Max | 300mW |
| Grade | Automotive | Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
Versand
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|---|---|---|---|
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