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$5000QS8J4TR
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Marken: ROHM Semiconductor
Herstellerteil #: QS8J4TR
Datenblatt: QS8J4TR Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TSMT-8
Produktart: FET, MOSFET Arrays
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.099 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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QS8J4TR Allgemeine Beschreibung
Step into the future with QS8J4TR MOSFETs, where technology meets precision to create a range of devices that revolutionize functionality across industries. These MOSFETs are designed to excel in various applications, catering to the dynamic needs of the market. From compact types for space-constrained environments to high-power variants for demanding tasks, this product line sets a new standard for efficiency and performance
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | ROHM Semiconductor | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | TSMT-8 |
| Transistor Polarity | P-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 40 mOhms, 40 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V | Qg - Gate Charge | 13 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 1.5 W | Channel Mode | Enhancement |
| Series | QS8J4 | Brand | ROHM Semiconductor |
| Configuration | Dual | Fall Time | 50 ns, 50 ns |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 20 ns, 20 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns, 80 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns, 8 ns | Part # Aliases | QS8J4 |
| Unit Weight | 0.000353 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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