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RTQ045N03TR
Power Field-Effect Transistor with 4.5A current and 30V voltage rating
Marken: Rohm Semiconductor
Herstellerteil #: RTQ045N03TR
Datenblatt: RTQ045N03TR Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-457T-6
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.067 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,643 | $0,643 |
| 200 | $0,257 | $51,400 |
| 500 | $0,248 | $124,000 |
| 1000 | $0,244 | $244,000 |
Auf Lager: 9.067 Stck
RTQ045N03TR Allgemeine Beschreibung
The RTQ045N03TR is a power MOSFET manufactured by Richtek. It is a N-channel MOSFET with a voltage rating of 30V and a continuous drain current of 45A. The device is housed in a TO-263 package which allows for efficient heat dissipation during operation. The RTQ045N03TR features low RDS(ON) resistance of 4.5mΩ, making it suitable for high current applications where low power dissipation is crucial. This MOSFET also has a fast switching speed and low gate charge, allowing for efficient operation in applications requiring high frequencies.The MOSFET is designed for use in a wide range of applications including DC-DC converters, synchronous rectification, motor control, power management systems, and battery protection circuits. The device is designed to operate at high efficiency levels and withstand high power loads.
Funktionen
- Advanced thermal performance
- High-speed switching capability
- Silicon-based, high-reliability design
- Fast recovery time and low losses
- Ergonomic package for easy handling
- Low noise emission and reduced electromagnetic interference
Anwendung
- Electronic devices
- Power distribution
- Energy efficiency
- Voltage regulation
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-457T-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 4.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 420 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
| Qg - Gate Charge | 7.6 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| Channel Mode | Enhancement | Series | RTQ045N03 |
| Brand | ROHM Semiconductor | Configuration | Single |
| Fall Time | 31 ns | Height | 0.85 mm |
| Length | 2.9 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 31 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns | Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Width | 1.6 mm | Part # Aliases | RTQ045N03 |
| Unit Weight | 0.000494 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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