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IXTQ88N30P
Robust and efficient MOSFET component for 300V systems
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXTQ88N30P
Datenblatt: IXTQ88N30P Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-3P-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $4,650 | $4,650 |
10 | $4,445 | $44,450 |
30 | $4,319 | $129,570 |
100 | $4,215 | $421,500 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXTQ88N30P Allgemeine Beschreibung
N-Channel 300 V 88A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-3P
Funktionen
AVALANCHE RATEDAnwendung
SWITCHINGSpezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-3P-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V | Id - Continuous Drain Current: | 88 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V | Qg - Gate Charge: | 180 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 600 W | Channel Mode: | Enhancement |
Series: | IXTQ88N30 | Packaging: | Tube |
Brand: | IXYS | Configuration: | Single |
Fall Time: | 25 ns | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 24 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 96 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
Unit Weight: | 0.194007 oz |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXTQ88N30P is a high-power, N-channel, enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) designed for high current and high voltage applications. It features low on-state voltage drop, fast switching speed, and high ruggedness, making it ideal for use in motor control, power supplies, and renewable energy systems.
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Equivalent
Possible equivalent products of IXTQ88N30P chip include Infineon's IRF830 and Fairchild's FDP8880. These MOSFET transistors have similar specifications and can be used as alternatives in circuit designs. -
Features
1. MOSFET transistor 2. N-channel 3. 300V drain-source voltage 4. 88A continuous drain current 5. 0.038 ohm on-resistance 6. TO-3P package 7. Fast switching and low power loss 8. Ideal for high power applications and motor control circuits. -
Pinout
The IXTQ88N30P is a power MOSFET with a TO-3P package. It has 3 pins: a Gate (G), Drain (D), and Source (S). The function of this MOSFET is to control the flow of current between the Drain and Source terminals by applying a voltage to the Gate terminal. -
Manufacturer
IXTQ88N30P is manufactured by Infineon Technologies. Infineon Technologies is a German semiconductor manufacturing company that specializes in producing a wide range of semiconductor products for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics. They are known for their high-quality and reliable semiconductor solutions. -
Application Field
IXTQ88N30P is a power MOSFET transistor commonly used in switching applications such as power supplies, motor control, and inverters. It can also be used in lighting systems, automotive applications, and industrial equipment. With its high voltage and current ratings, it is suitable for high-power and high-voltage applications. -
Package
The IXTQ88N30P chip is in a TO-3P package, with a TO-247 form factor, and has a size of 29.2 x 19.56 x 4.57 mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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