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ST SCTWA35N65G2V-4
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package
Marken: STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #: SCTWA35N65G2V-4
Datenblatt: SCTWA35N65G2V-4 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: HiP247-4
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3808 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMSCTWA35N65G2V-4 Allgemeine Beschreibung
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2ndgeneration SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Funktionen
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitances
- Source sensing pin for increased efficiency
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Pin Count | 4 | Package Category | Other |
| Released Date | Jul 1, 2022 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Datenblatt PDF
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