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Infineon SPP80N03S2L-05
This device is a high-current N-channel MOSFET
Marken: Infineon
Herstellerteil #: SPP80N03S2L-05
Datenblatt: SPP80N03S2L-05 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.162 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $2,407 | $2,407 |
| 200 | $0,932 | $186,400 |
| 500 | $0,898 | $449,000 |
| 1000 | $0,884 | $884,000 |
Auf Lager: 2.162 Stck
SPP80N03S2L-05 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 30 V 80A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Funktionen
- It is an N-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage (VDS) of 30V.
- It has a maximum continuous drain current (ID) of 80A and a low on-resistance (RDS(on)) of 5.5 milliohms.
- It can operate at a maximum junction temperature of 175°C.
- It comes in a TO-220 package.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 5.2 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Qg - Gate Charge | 89.7 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 167 W |
| Channel Mode | Enhancement | Series | SPP80N03 |
| Brand | Infineon Technologies | Configuration | Single |
| Fall Time | 20 ns | Height | 15.65 mm |
| Length | 10 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 18 ns | Factory Pack Quantity | 500 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 44 ns | Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Width | 4.4 mm | Part # Aliases | SPP8N3S2L5XK SP000013466 SPP80N03S2L05AKSA1 |
| Unit Weight | 0.068784 oz |
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