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Infineon SPP11N80C3
SPP11N80C3 is a power MOSFET featuring an 800-volt rating and an 11-amp current capacity in its N-channel
Marken: Infineon
Herstellerteil #: SPP11N80C3
Datenblatt: SPP11N80C3 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3235 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $2,904 | $2,904 |
| 10 | $2,575 | $25,750 |
| 50 | $2,381 | $119,050 |
| 100 | $2,183 | $218,300 |
| 500 | $2,091 | $1045,500 |
| 1000 | $2,051 | $2051,000 |
In Stock:3235 PCS
SPP11N80C3 Allgemeine Beschreibung
The SPP11N80C3 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-voltage applications. It has a drain-source voltage of 800V and a continuous drain current of 11A, making it suitable for a wide range of industrial and automotive applications. This MOSFET features a low on-state resistance of 0.55 ohms, allowing for efficient power dissipation and high power density. It also has a low gate charge of 13nC, enabling fast switching speeds and reduced switching losses.The SPP11N80C3 is housed in a TO-220 package, which provides good thermal performance and easy mounting on a printed circuit board. It has a maximum junction temperature of 150°C, ensuring reliable operation under high-temperature conditions.This MOSFET is designed for use in power supplies, motor control, inverters, and other high-power applications where efficiency and reliability are critical. Its high voltage and current ratings, low on-state resistance, and fast switching speeds make it an ideal choice for demanding industrial and automotive applications.
Funktionen
- 1100V rated voltage
- 11A continuous drain current
- 3.5V gate source threshold voltage
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- High ruggedness
- Enhanced power dissipation
- RoHS compliant
- TO-220 packaging
Anwendung
- Switch mode power supplies
- DC-DC converters
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Electric vehicle charging systems
- Industrial motor drives
- Solar inverters
- Induction heating systems
- Power factor correction systems
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| IDpuls max | 33.0 A | RthJC max | 0.8 K/W |
| RthJA max | 62.0 K/W | Ptot max | 156.0 W |
| VDS max | 800.0 V | Polarity | N |
| ID max | 11.0 A | RDS (on) max | 450.0 mΩ |
| Mounting | THT | Special Features | price/performance |
| Package | TO-220 | VGS(th) max | 3.9 V |
| VGS(th) min | 2.1 V | Operating Temperature max | 150.0 °C |
| Operating Temperature min | -55.0 °C |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Äquivalente Teile
Für den SPP11N80C3 Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:
Artikelnummer
Marken
Paket
Beschreibung
Artikelnummer : IRFP450,
Marken :
Paket :
Beschreibung : IRFP460, IRFP4768, IRFP4868, FCP11N80, FCP12N80, FCPF11N80, FCPF12N80, STP11NM80, STP11NK80, STP11NM80FP, STP11NK80ZFP.
Teilpunkte
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The SPP11N80C3 is a power MOSFET chip designed for high voltage applications. It offers low on-resistance and a high switching speed, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high power applications. The chip has a breakdown voltage of 800V and a maximum continuous drain current of 11A, making it well-suited for demanding power electronics designs.
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Equivalent
Some equivalent products of the SPP11N80C3 chip include SPB11N80C3, SPA11N80C3, and SPM11N80C3. These chips offer similar specifications and features, making them potential substitutes for the SPP11N80C3. -
Features
The features of SPP11N80C3 include a breakdown voltage of 800V, a continuous drain current of 11A, and a low on-resistance of 0.33Ω. It also offers a fast switching capability, a low gate charge, and is suitable for a wide range of applications, including power supplies, motor control, and lighting. -
Pinout
The SPP11N80C3 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. It is designed to handle high current and voltage applications. The pins are typically labeled as Gate, Drain, and Source, which control the flow of current through the device. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the SPP11N80C3. It is a semiconductor manufacturing company based in Germany. -
Application Field
The SPP11N80C3 is a high-voltage power MOSFET that can be used in various application areas including power supply, motor control, lighting, and audio amplification. It is designed to handle high-voltage and high-current loads with low on-resistance, making it suitable for applications requiring efficient power management and reliable performance. -
Package
The SPP11N80C3 chip comes in a TO-220 package type, which is a through-hole package with three pins for easy installation on a circuit board. The form describes the physical design and structure of the chip, and the size is in accordance with the TO-220 package dimensions.
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