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$5000Infineon SPW11N60C3
Silicon N-Channel Power MOSFET with 11A Current Rating
Marken: Infineon
Herstellerteil #: SPW11N60C3
Datenblatt: SPW11N60C3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.469 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SPW11N60C3 Allgemeine Beschreibung
The SPW11N60C3 by Infineon Technologies is a high-performance N-channel MOSFET designed to meet the demands of high power switching applications. With a high drain-source voltage rating of 650V and a continuous drain current rating of 11A, this MOSFET is versatile and can be used in a variety of industrial and consumer electronics settings. Its low on-state resistance of 0.4 ohms ensures minimal power loss and improved efficiency in applications where power dissipation is a concern
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Infineon | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 125 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | CoolMOS | Series | CoolMOS C3 |
| Brand | Infineon Technologies | Configuration | Single |
| Fall Time | 5 ns | Height | 21.1 mm |
| Length | 16.13 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 5 ns | Factory Pack Quantity | 240 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 44 ns | Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Width | 5.21 mm | Part # Aliases | SP000013728 SPW11N6C3XK SPW11N60C3FKSA1 |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
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