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$5000Infineon SPW55N80C3
The SPW55N80C3 Power Field-Effect Transistor is engineered for high-voltage applications, boasting a low on-resistance of 0
Marken: infineon
Herstellerteil #: SPW55N80C3
Datenblatt: SPW55N80C3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.549 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $16,969 | $16,969 |
10 | $16,432 | $164,320 |
30 | $15,502 | $465,060 |
100 | $14,692 | $1469,200 |
Auf Lager: 7.549 Stck
SPW55N80C3 Allgemeine Beschreibung
Infineon's SPW55N80C3 MOSFET is engineered for reliability and enhanced switching performance, thanks to its advanced technology and sturdy construction. This makes it an ideal choice for a wide range of applications, including power supplies, motor control, inverters, and other high-power systems. The gate threshold voltage of 2.3V simplifies the driving process with standard logic level signals
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
IDpuls max | 150.0 A | RthJC max | 0.25 K/W |
RthJA max | 62.0 K/W | Ptot max | 500.0 W |
VDS max | 800.0 V | Polarity | N |
ID max | 54.9 A | RDS (on) max | 85.0 mΩ |
Mounting | THT | Special Features | price/performance |
Package | TO-247 | VGS(th) max | 3.9 V |
VGS(th) min | 2.1 V | Operating Temperature max | 150.0 °C |
Operating Temperature min | -55.0 °C |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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