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$5000TOSHIBA SSM6J501NU,LF
P-Channel MOSFET for Power Management Applications
Marken: Toshiba
Herstellerteil #: SSM6J501NU,LF
Datenblatt: SSM6J501NU,LF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: UDFN-6
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SSM6J501NU,LF Allgemeine Beschreibung
Moreover, the MOSFET transistor is equipped with built-in ESD protection to safeguard against electrostatic discharge events, providing an added layer of defense against potential damage. It also features a gate threshold voltage of -2V, enabling precise control over the switch-on and switch-off states, which is essential for achieving optimal performance in power management applications
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Toshiba | Product Category: | MOSFET |
Technology: | Si | Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | UDFN-6 | Transistor Polarity: | P-Channel |
Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Id - Continuous Drain Current: | 10 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 15.3 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage: | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 300 mV |
Qg - Gate Charge: | 29.9 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 2 W |
Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | U-MOSVI |
Series: | SSM6J501 | Packaging: | MouseReel |
Brand: | Toshiba | Configuration: | Single |
Height: | 0.75 mm | Length: | 2 mm |
Product Type: | MOSFET | Factory Pack Quantity: | 3000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 201 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 45.2 ns |
Width: | 2 mm | Unit Weight: | 0.000300 oz |
Series | U-MOSVI | Product Status | Active |
FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.3mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.9 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | ±8V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 10 V |
Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 6-UDFNB (2x2) |
Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
Versand
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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