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STGB10NC60KDT4
IGBT Transistors N-channel MOSFET
Marken: STMicroelectronics
Herstellerteil #: STGB10NC60KDT4
Datenblatt: STGB10NC60KDT4 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: D2PAK-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,910 | $0,910 |
| 10 | $0,776 | $7,760 |
| 30 | $0,703 | $21,090 |
| 100 | $0,619 | $61,900 |
| 500 | $0,583 | $291,500 |
| 1000 | $0,565 | $565,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
STGB10NC60KDT4 Allgemeine Beschreibung
The STGB10NC60KDT4 is a standout IGBT that delivers unmatched performance and efficiency. Thanks to its innovative PowerMESH technology, this device offers a unique combination of speed and low on-state behavior, making it perfect for a wide range of applications. Whether you are working on resonant designs or soft-switching projects, the STGB10NC60KDT4 is sure to exceed your expectations with its superior performance and reliability. Say goodbye to compromises and hello to success with this top-tier IGBT
Funktionen
- Fast switching frequency
- Low input capacitance
- High reliability performance
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | IGBT Transistors |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Package / Case: | D2PAK-3 | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.2 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 20 A | Pd - Power Dissipation: | 65 W |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | STGB10NC60KDT4 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | STMicroelectronics | Continuous Collector Current Ic Max: | 20 A |
| Height: | 4.6 mm | Length: | 10.4 mm |
| Product Type: | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Subcategory: | IGBTs | Width: | 9.35 mm |
| Unit Weight: | 0.079014 oz |
Versand
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The STGB10NC60KDT4 is a high-voltage, fast-switching N-channel IGBT power semiconductor chip designed for use in inverter and power supply applications. It features a low voltage drop and low switching losses, making it suitable for high efficiency and high power applications.
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Equivalent
The equivalent products of STGB10NC60KDT4 chip are: STGB10NC60KD, STGP10NC60KD, STGP10NC60KD, STGB10NC60KT4, STGP10NC60KT4. -
Features
STGB10NC60KDT4 is a 10A, 600V IGBT with low VCE (sat) voltage drop, high switching speed, and low switching losses. It has a compact TO-263-3 package with enhanced thermal performance, making it suitable for motor control, power supply, and renewable energy applications. -
Pinout
STGB10NC60KDT4 is a N-channel IGBT with a TO-263-3 package. It has 3 pins: gate, emitter, and collector. The gate pin controls the flow of current between the emitter and collector, making it suitable for high power switching applications. -
Manufacturer
STMicroelectronics is the manufacturer of the STGB10NC60KDT4. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets a range of semiconductor integrated circuits and discrete devices. STMicroelectronics produces a variety of products for various applications, including automotive, industrial, computer peripherals, telecommunications, and consumer products. -
Application Field
STGB10NC60KDT4 is a high-speed switching IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) specifically designed for motor control, inverter, and power supply applications. It is commonly used in industrial motor drives, UPS systems, welding equipment, and other high-power applications requiring efficient power switching and control. -
Package
The STGB10NC60KDT4 is a power MOSFET transistor in a D²PAK (TO-263) package. It has a form factor of a through-hole package with dimensions of 10.3mm x 8.6mm x 4.8mm.
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