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$5000STGW40H120DF2
468W 80A 1.2kV TO-247-3 Field Stop IGBTs ROHS
Marken: Stmicroelectronics
Herstellerteil #: STGW40H120DF2
Datenblatt: STGW40H120DF2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
Produktart: Single IGBTs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STGW40H120DF2 Allgemeine Beschreibung
Featuring a collector emitter saturation voltage of 2.1V and a collector emitter voltage of 1.2kV, the STGW40H120DF2 is a robust and reliable IGBT for high-power applications. With a DC collector current rating of 80A and a power dissipation of 468W, this transistor is capable of handling demanding loads with ease. The TO-247 case style provides excellent thermal performance, making it suitable for applications where heat dissipation is critical. Whether used in motor control, power supplies, or renewable energy systems, the STGW40H120DF2 delivers high performance and efficiency
Funktionen
- Pulse-width modulation capability
- Soft-start circuit for motor control
- Fault-tolerant operation with redundant configurations
- High-power density and efficiency
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Operating Temp Min Celsius | -55.0 | Operating Temp Max Celsius | 175.0 |
| ECCN US | EAR99 | ECCN EU | NEC |
| Packing Type | Tube | RoHs compliant | Ecopack2 |
| Grade | Industrial |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The STGW40H120DF2 is a high power, fast switching IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip designed for high voltage and high current applications. It features low saturation voltage, low tail current, and fast switching characteristics, making it ideal for use in power supplies, motor control, and renewable energy systems.
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Equivalent
The equivalent products of STGW40H120DF2 chip are IXYS IXGH40N120B3, Infineon IHW40N120R5, and STMicroelectronics STGW40NC120HD. -
Features
STGW40H120DF2 is a silicon carbide Schottky diode with a current rating of 40A and voltage rating of 1200V. It has a low forward voltage drop and high surge current capability, making it suitable for high power applications. The device also features fast switching speed and low reverse recovery charge. -
Pinout
STGW40H120DF2 is a 40A, 1200V IGBT module with dual fast diodes for high power applications. It has a pin count of 14 and functions as a power semiconductor module with integrated IGBTs and diodes for controlling high current and voltage in industrial applications. -
Manufacturer
STGW40H120DF2 is manufactured by STMicroelectronics. STMicroelectronics is a multinational semiconductor company specializing in the design, manufacture, and supply of a wide range of semiconductor products. They focus on developing technologies for energy efficiency, smart mobility, and Internet of Things (IoT) applications. -
Application Field
STGW40H120DF2 is commonly used in applications such as solar inverters, motor control, and industrial drives. It is also suitable for use in welding equipment, UPS systems, and power supplies. This IGBT module offers high efficiency, reliability, and ruggedness, making it ideal for various power electronics applications. -
Package
The STGW40H120DF2 chip comes in a TO-247 package, with a form of semiconductor and a size of 3-pin.
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