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$5000STGW60H65F
IGBT Trench Field Stop 650 V 120 A 360 W Through Hole TO-247-3
Marken: STMicroelectronics
Herstellerteil #: STGW60H65F
Datenblatt: STGW60H65F Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.754 Stück, Neues Original
Produktart: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $4,617 | $4,617 |
210 | $1,843 | $387,030 |
510 | $1,781 | $908,310 |
990 | $1,751 | $1733,490 |
Auf Lager: 9.754 Stck
STGW60H65F Allgemeine Beschreibung
IGBT Trench Field Stop 650 V 120 A 360 W Through Hole TO-247-3
Funktionen
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Low VF soft recovery co-packaged diode
- Lead free package
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer | STMicroelectronics | Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details | Technology | Si |
Package / Case | TO-247 | Mounting Style | Through Hole |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.9 V | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 120 A | Pd - Power Dissipation | 360 W |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | STGW60H65F | Brand | STMicroelectronics |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | IGBTs |
Unit Weight | 0.229281 oz |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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