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$5000STU7NM60N
Compact Power Supply for Industrial U
Marken: STMICROELECTRONICS
Herstellerteil #: STU7NM60N
Datenblatt: STU7NM60N Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: IPAK
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.998 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $0,556 | $0,556 |
10 | $0,463 | $4,630 |
30 | $0,416 | $12,480 |
100 | $0,370 | $37,000 |
500 | $0,342 | $171,000 |
1000 | $0,328 | $328,000 |
Auf Lager: 6.998 Stck
STU7NM60N Allgemeine Beschreibung
Product STU7NM60N is a high-quality N-channel power MOSFET transistor with a voltage rating of 600V and a current rating of 5A. With a low ON-resistance of 0.76 ohms, this transistor is suitable for various power applications where efficiency and reliability are key factors. The TO-251 package and single-element design make it easy to integrate into different circuit layouts
Funktionen
- Schmitt trigger functionality
- Ultra-low threshold voltage
- Sub-microamp current consumption
- High-gain amplification capability
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Source Content uid | STU7NM60N | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | STMICROELECTRONICS |
Part Package Code | TO-251 | Package Description | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
Pin Count | 3 | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 52 Weeks |
Samacsys Manufacturer | STMicroelectronics | Avalanche Energy Rating (Eas) | 119 mJ |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 600 V |
Drain Current-Max (ID) | 5 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.9 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-251 |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | IN-LINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 45 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 20 A |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Versand
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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