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$5000TP5335K1-G
P-Channel 350 V 85mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
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Marken: Microchip Technology
Herstellerteil #: TP5335K1-G
Datenblatt: TP5335K1-G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.128 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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TP5335K1-G Allgemeine Beschreibung
The TP5335K1-G is a cutting-edge low threshold enhancement-mode transistor that boasts superior power handling capabilities thanks to its advanced vertical DMOS structure and silicon-gate manufacturing process. This innovative combination ensures the device offers the best of both worlds - the high power capabilities of bipolar transistors, along with the high input impedance and positive temperature coefficient typically seen in MOS devices. With a design that eliminates thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown, users can rest assured of its reliability and durability
Funktionen
- Wide operating frequency range and stability
- Inherently linear and distortion-free
- Ease of design in with other components
- Fast switching speeds and high current handling
- Excellent thermal conductivity and dissipation
- Low radiation sensitivity and immunity
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 350 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85mA (Tj) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30Ohm @ 200mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-236AB (SOT23) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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