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$5000TP5322K1-G
P-Channel 220 V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Marken: Microchip Technology
Herstellerteil #: TP5322K1-G
Datenblatt: TP5322K1-G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.248 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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TP5322K1-G Allgemeine Beschreibung
The TP5322K1-G is a cutting-edge transistor designed for high-performance applications. With its low threshold enhancement-mode and advanced vertical DMOS structure, this device offers superior power handling capabilities and a high input impedance that rivals that of bipolar transistors. What sets this transistor apart is its ability to remain free from thermal runaway and secondary breakdown, thanks to its innovative silicon-gate manufacturing process
Funktionen
- Advanced thermal management
- Fast and accurate sensing
- Precise temperature control
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 220 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120mA (Tj) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 200mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-236AB (SOT23) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Versand
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