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IXFN60N80P 48HRS

4-pin SOT-227B, IXYS IXFN60N80P N-channel MOSFET Transistor & Diode, 800V, 53A

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Littelfuse

Herstellerteil #: IXFN60N80P

Datenblatt: IXFN60N80P Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-227-4

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $18,226 $18,226
10 $17,564 $175,640
30 $16,421 $492,630
100 $15,421 $1542,100

Auf Lager: 9.458 Stck

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IXFN60N80P Allgemeine Beschreibung

The innovative product IXFN60N80P boasts a unique combination of features that set it apart from other offerings in the market. With a faster body diode and reduced reverse recovery time (trr), these Polar™ HiPerFETs are specifically designed for applications such as phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply (UPS) systems. This makes them an ideal choice for industries that require high performance and reliability

Funktionen

  • Improved Thermal Resistance
  • Reduced Volumetric Efficiency
  • Easier Mounting

Anwendung

  • Advanced Power Converter
  • Reliable Battery Backup
  • Precision Motor Control

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Drain-Source Voltage (V) 800 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.14
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 53 Gate Charge (nC) 250
Input Capacitance, CISS (pF) 18000 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.12
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 1040 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request Yes

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
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2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IXFN60N80P is a power MOSFET chip used for high-voltage applications. It features a low on-state resistance and is designed to handle high currents. This chip is popular for use in power supplies, motor control, and other high-power electronic devices.
  • Equivalent

    Some equivalent products of IXFN60N80P chip are Infineon's IPB60R380CE, Fairchild's FSCQNSM336, and STMicroelectronics' STW60N95K5. These products are power MOSFETs with similar specifications and characteristics, suitable for high power applications.
  • Features

    1. N-channel enhancement mode power MOSFET 2. High current rating of 60A 3. Voltage rating of 800V 4. Low on-resistance for efficient power management 5. Integrated fast body diode for improved switching performance 6. RoHS compliant and lead (Pb)-free package 7. Suitable for use in power supplies, motor control, and other high-power applications.
  • Pinout

    The IXFN60N80P is a MOSFET with a TO-268 package, having 3 pins. Pin 1 is the Gate, Pin 2 is the Drain, and Pin 3 is the Source. It is used for switching and amplifying electronic signals in power applications with a voltage rating of 800V and a current rating of 60A.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IXFN60N80P is IXYS Corporation. They are a semiconductor company specializing in power semiconductors, integrated circuits, and RF systems. They provide products for a wide range of industries, including automotive, communication, industrial, and medical markets.
  • Application Field

    The IXFN60N80P is commonly used in power conversion applications such as inverters, motor drives, and power supplies. It is also used in welding equipment, plasma cutters, and induction heating systems due to its high power handling capabilities and low loss characteristics. Additionally, it can be found in renewable energy systems like solar inverters and wind turbines.
  • Package

    The IXFN60N80P chip is packaged in a TO-268 form, TO-247AC package type, and has a size of 5.2mm x 12.5mm x 19.7mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

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    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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