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IXFN60N80P
4-pin SOT-227B, IXYS IXFN60N80P N-channel MOSFET Transistor & Diode, 800V, 53A
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: Littelfuse
Herstellerteil #: IXFN60N80P
Datenblatt: IXFN60N80P Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $18,226 | $18,226 |
10 | $17,564 | $175,640 |
30 | $16,421 | $492,630 |
100 | $15,421 | $1542,100 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXFN60N80P Allgemeine Beschreibung
The innovative product IXFN60N80P boasts a unique combination of features that set it apart from other offerings in the market. With a faster body diode and reduced reverse recovery time (trr), these Polar™ HiPerFETs are specifically designed for applications such as phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply (UPS) systems. This makes them an ideal choice for industries that require high performance and reliability
Funktionen
- Improved Thermal Resistance
- Reduced Volumetric Efficiency
- Easier Mounting
Anwendung
- Advanced Power Converter
- Reliable Battery Backup
- Precision Motor Control
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Drain-Source Voltage (V) | 800 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.14 |
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 53 | Gate Charge (nC) | 250 |
Input Capacitance, CISS (pF) | 18000 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.12 |
Configuration | Single | Package Type | SOT-227 |
Power Dissipation (W) | 1040 | Maximum Reverse Recovery (ns) | 250 |
Sample Request | Yes |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXFN60N80P is a power MOSFET chip used for high-voltage applications. It features a low on-state resistance and is designed to handle high currents. This chip is popular for use in power supplies, motor control, and other high-power electronic devices.
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Equivalent
Some equivalent products of IXFN60N80P chip are Infineon's IPB60R380CE, Fairchild's FSCQNSM336, and STMicroelectronics' STW60N95K5. These products are power MOSFETs with similar specifications and characteristics, suitable for high power applications. -
Features
1. N-channel enhancement mode power MOSFET 2. High current rating of 60A 3. Voltage rating of 800V 4. Low on-resistance for efficient power management 5. Integrated fast body diode for improved switching performance 6. RoHS compliant and lead (Pb)-free package 7. Suitable for use in power supplies, motor control, and other high-power applications. -
Pinout
The IXFN60N80P is a MOSFET with a TO-268 package, having 3 pins. Pin 1 is the Gate, Pin 2 is the Drain, and Pin 3 is the Source. It is used for switching and amplifying electronic signals in power applications with a voltage rating of 800V and a current rating of 60A. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXFN60N80P is IXYS Corporation. They are a semiconductor company specializing in power semiconductors, integrated circuits, and RF systems. They provide products for a wide range of industries, including automotive, communication, industrial, and medical markets. -
Application Field
The IXFN60N80P is commonly used in power conversion applications such as inverters, motor drives, and power supplies. It is also used in welding equipment, plasma cutters, and induction heating systems due to its high power handling capabilities and low loss characteristics. Additionally, it can be found in renewable energy systems like solar inverters and wind turbines. -
Package
The IXFN60N80P chip is packaged in a TO-268 form, TO-247AC package type, and has a size of 5.2mm x 12.5mm x 19.7mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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