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$5000ZXMN10A08DN8TA
ZXMN10A08DN8TA: MOSFET, N-Channel, 100V, 2.1A
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Marken: Diodes Incorporated
Herstellerteil #: ZXMN10A08DN8TA
Datenblatt: ZXMN10A08DN8TA Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 8-SOIC
Produktart: FET, MOSFET Arrays
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.029 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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ZXMN10A08DN8TA Allgemeine Beschreibung
Product ZXMN10A08DN8TA is a high-performance Power Field-Effect Transistor designed for a wide range of applications. With a maximum current rating of 2.1A and a voltage rating of 100V, this transistor is capable of handling significant power loads with ease. The low on-resistance of 0.25ohm ensures minimal power loss during operation, making it an efficient choice for power management systems
Funktionen
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- Low profile SOIC package
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Status | Active | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) | FET Feature | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 3.2A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 50V |
Power - Max | 1.25W | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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