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BSL215CH6327XTSA1

MOSFET with AEC-Q101 certification, designed for N and P complement operation in TSOP-6 package

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon Technologies

Herstellerteil #: BSL215CH6327XTSA1

Datenblatt: BSL215CH6327XTSA1 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-23-6Thin,TSOT-23-6

Produktart: FET, MOSFET Arrays

RoHS-Status:

Lagerzustand: 6.359 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSL215CH6327XTSA1 Allgemeine Beschreibung

The BSL215CH6327XTSA1 is a versatile dual N-Channel/P-Channel transistor designed to deliver high performance in various applications. With a continuous drain current (Id) of 1.5A and a drain-source voltage (Vds) of 20V, it offers reliable operation in diverse circuit configurations. The ON resistance (Rds(on)) of 280mOhm ensures efficient power management, while the gate-source voltage of 12V provides precise control. This transistor can operate in temperatures ranging from -55°C to 150°C, making it suitable for challenging environments. Its TSOP package with 6 pins is designed for surface mounting, and it has a moisture sensitivity level (MSL) of Level-1, ensuring long-term reliability. The tape & reel packaging and automotive qualification standard AEC-Q101 make it ideal for automotive applications. With a reflow temperature max of 260°C and a power dissipation (Pd) of 500mW, this transistor offers exceptional performance and durability

Funktionen

  • This is the product information.
  • A detailed description will follow.
  • The product has many features.
  • Operating voltage range is 100V to 680V.
  • Suitable for LED driver applications.
  • Packaged in a small Trace case.

Anwendung

  • Efficient automotive charging
  • Advanced industrial controls
  • Reliable solar inverters
  • Smart power management
  • Sleek consumer electronics
  • Precise medical devices

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Series OptiMOS™ Product Status Active
Technology MOSFET (Metal Oxide) Configuration N and P-Channel Complementary
FET Feature Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.73nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V Power - Max 500mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Grade Automotive
Qualification AEC-Q101 Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Supplier Device Package PG-TSOP6-6
Base Product Number BSL215

Versand

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  • Vakuumverpackung

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  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The BSL215CH6327XTSA1 chip is a high-performance integrated circuit designed for use in various electronic devices. It offers advanced features such as efficient power management, high-speed processing capabilities, and a compact form factor. This chip is commonly used in smartphones, tablets, and other mobile devices to improve performance and battery life.
  • Equivalent

    The equivalent products of BSL215CH6327XTSA1 chip are 215CH6327XPSA1, 215CH6327XP1A1, and 215CH6327XP2A1 chips from the same manufacturer and product line. These chips have similar features and specifications, making them suitable replacements for each other.
  • Features

    BSL215CH6327XTSA1 is a gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT) from Infineon Technologies. It offers ultra-high efficiency and power density for high-frequency applications, with a peak output power of up to 12 watts and a high breakdown voltage of 650V. This transistor is suitable for use in RF power amplifiers and switched-mode power supplies.
  • Pinout

    The BSL215CH6327XTSA1 is a dual-channel ESD protection diode with a pin count of 4. It is designed to protect sensitive electronic components from voltage spikes and ESD events. This device is ideal for applications where space is limited and reliable ESD protection is required.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies is the manufacturer of the BSL215CH6327XTSA1. It is a German semiconductor company that specializes in producing power semiconductors, microcontrollers, sensors, and security solutions for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The BSL215CH6327XTSA1 is commonly used in automotive lighting applications, including headlights, taillights, and daytime running lights. It is also used in industrial lighting, outdoor commercial lighting, and architectural lighting projects. This high-power LED enables efficient lighting solutions with a combination of high brightness and energy efficiency.
  • Package

    The BSL215CH6327XTSA1 chip comes in a SOT-23 package type, with a form of Surface Mount, and a size of 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.

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