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BSM200GB120DN2
IGBT Modules 1200V 200A DUAL
Marken: Infineon
Herstellerteil #: BSM200GB120DN2
Datenblatt: BSM200GB120DN2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: Half Bridge2
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.774 Stück, Neues Original
Produktart: IGBT Modules
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $204,539 | $204,539 |
| 30 | $196,244 | $5887,320 |
Auf Lager: 5.774 Stck
BSM200GB120DN2 Allgemeine Beschreibung
In the realm of safety, this module is equipped with short-circuit protection and overtemperature shutdown mechanisms, offering peace of mind by mitigating the risks of damage during unforeseen events. The press-fit pins enable easy and secure connections to the circuit board, simplifying the installation process
Funktionen
- Real-time monitoring capability
- Fault detection and diagnosis
- Auto-restart functionality enabled
- Error correction mechanism implemented
- Advanced signal processing techniques
- Data integrity ensured through triple modular redundancy
Anwendung
- Sustainable power solutions
- Intelligent motor controls
- Premium energy storage
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Modules | RoHS | Details |
| Product | IGBT Silicon Modules | Configuration | Half Bridge |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 290 A | Gate-Emitter Leakage Current | 400 nA |
| Pd - Power Dissipation | 1.4 kW | Package / Case | Half Bridge2 |
| Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Brand | Infineon Technologies | Height | 30 mm |
| Length | 106.4 mm | Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
| Mounting Style | Chassis Mount | Product Type | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | IGBTs |
| Technology | Si | Width | 61.4 mm |
| Part # Aliases | SP000014913 BSM200GB120DN2HOSA1 |
Versand
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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