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NEXPERIA BSN20BKR
High-speed switching transistor for automotive applications with low noise and radiation toleranc
Marken: Nexperia
Herstellerteil #: BSN20BKR
Datenblatt: BSN20BKR Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.496 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 10 | $0,056 | $0,560 |
| 100 | $0,046 | $4,600 |
| 300 | $0,041 | $12,300 |
| 3000 | $0,037 | $111,000 |
| 6000 | $0,034 | $204,000 |
| 9000 | $0,032 | $288,000 |
Auf Lager: 6.496 Stck
BSN20BKR Allgemeine Beschreibung
Featuring a sleek SOT23 package, the BSN20BKR is a versatile N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) that leverages innovative Trench MOSFET technology. This FET is crafted for seamless integration into modern electronics, offering a reliable solution for various circuit designs. With its small form factor and high-performance capabilities, the BSN20BKR is a dependable component for compact devices requiring precise power management
Funktionen
- Efficient power conversion
- Minimal thermal dissipation
- Low electromagnetic interference (EMI)
Anwendung
- Stepper motor driver
- PWM controller
- Relay module
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Type number | BSN20BK | Package version | SOT23 |
| Package name | SOT23 | Product status | Production |
| Channel type | N | Nr of transistors | 1 |
| VDS [max] (V) | 60 | VGS [max] (V) | 20 |
| RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ) | 2800 | RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ) | 3200 |
| RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ) | 4000 | Tj [max] (°C) | 150 |
| ID [max] (A) | 0.265 | QGD [typ] (nC) | 0.12 |
| QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC) | 0.49 | Ptot [max] (W) | 0.31 |
| VGSth [typ] (V) | 1 | Automotive qualified | N |
| Ciss [typ] (pF) | 20.2 | Coss [typ] (pF) | 3.1 |
| Date | 2014-12-19 | Packing | SOT23_215 |
| Orderable part number | BSN20BKR |
Versand
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|---|---|---|---|
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The BSN20BKR is a high voltage NPN transistor chip produced by Infineon Technologies. It is designed for general-purpose switching and amplifier applications with a maximum voltage rating of 80V and a continuous collector current of 0.2A. This chip offers low saturation voltage and fast switching speed, making it suitable for various electronic circuits.
-
Equivalent
The equivalent products of BSN20BKR chip are BSN20BKRJ and BSN20BKRW. These chips are all N-channel 40V 0.15A 350mW Silicon Amorphous AMT. -
Features
The BSN20BKR is a 20-inch black rack designed for storing and organizing dumbbells or medicine balls. It has a durable steel construction with a powder-coated finish, rubber feet to protect floors, and a compact design for saving space in a home or commercial gym. -
Pinout
BSN20BKR is a N-channel, enhancement mode MOSFET transistor with a pin count of 3. Pin functions are gate (G), drain (D), and source (S). The transistor is commonly used for small signal amplification and switching applications. -
Manufacturer
BSN20BKR is manufactured by Black & Decker, a popular American manufacturer of power tools, home improvement products, and outdoor equipment. Black & Decker is known for producing quality, reliable products for both DIY enthusiasts and professional contractors. -
Application Field
1. Industrial automation 2. Process control systems 3. Motion control applications 4. Robotics 5. Power electronics and motor drives 6. Automotive systems 7. Inverters and converters 8. Renewable energy systems 9. Battery management systems 10. Medical devices and equipment -
Package
The BSN20BKR chip is housed in a SOT-23 package. It is a bipolar NPN transistor with a maximum power dissipation of 330 mW. The chip has a collector current of 500 mA and a DC current gain of 40 to 320.
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